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UPA2757GR-E2-AT

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

DESCRIPTION TheμPA2757GRisDualN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforswitchingapplication. FEATURES ?Lowon-stateresistance RDS(on)1=36.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=3.0A) RDS(on)2=50.0mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=3.0A) ?Lowgatecharge QG=10nCTYP.(VGS

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社

UPA2757GR-E2-AT

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION TheμPA2757GRisDualN-channelMOSFieldEffect Transistorsdesignedforswitchingapplication. FEATURES ?Lowon-stateresistance RDS(on)1=36.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=3.0A) RDS(on)2=50.0mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=3.0A) ?Lowgatecharge QG=10nCTYP.(VGS=10V)

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào):

    UPA2757GR-E2-AT

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列

  • 系列:

    -

  • 產(chǎn)品目錄繪圖:

    8-SOIC Mosfet Package

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    1

  • 系列:

    - FET

  • 型:

    2 個(gè) N 溝道(雙) FET

  • 特點(diǎn):

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    3A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    75 毫歐 @ 4.6A,10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)(最大):

    3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    20nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    - 功率 -

  • 最大:

    1.4W

  • 安裝類型:

    表面貼裝

  • 封裝/外殼:

    PowerPAK? SO-8

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    PowerPAK? SO-8

  • 包裝:

    Digi-Reel®

  • 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:

    1664(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名稱:

    SI7948DP-T1-GE3DKR

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多UPA2757GR-E2-AT供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-4 11:10:00