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GW30N120KD	文件：359.23 Kbytes Page：13 Pages	30 A - 1200 V - short circuit rugged IGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
GWA30N120KD	文件：423.46 Kbytes Page：15 Pages	30A,1200VshortcircuitruggedIGBTwithUltrafastdiode Features ■Lowon-losses ■Highcurrentcapability ■Lowgatecharge ■Shortcircuitwithstandtime10μs ■IGBTco-packagedwithUltrafastfree-wheeling diode Applications ■Motorcontrol Description Thishighvoltageandshort-circuitruggedIGBT utilizestheadvancedPowerMESH?p	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
HGTG30N120CN	文件：81.32 Kbytes Page：7 Pages	75A,1200V,NPTSeriesN-ChannelIGBT TheHGTG30N120CNisaNon-PunchThrough(NPT)IGBTdesign.ThisisanewmemberoftheMOSgatedhighvoltageswitchingIGBTfamily.IGBTscombinethebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThisdevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowonstateconductionlossofabip	Intersil Intersil Corporation	Intersil
HGTG30N120CN	文件：40.5 Kbytes Page：5 Pages	30A,1200VN-ChannelIGBT Description TheHGTG30N120D2isaMOSgatedhighvoltageswitchingdevicecombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThedevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltagedropvarie	Intersil Intersil Corporation	Intersil
HGTG30N120CN	文件：113.21 Kbytes Page：8 Pages	75A,1200V,NPTSeriesN-ChannelIGBT TheHGTG30N120CNisaNon-PunchThrough(NPT)IGBTdesign.ThisisanewmemberoftheMOSgatedhighvoltageswitchingIGBTfamily.IGBTscombinethebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThisdevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowonstateconductionlossofabip	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
HIH30N120TF	文件：892.05 Kbytes Page：8 Pages	1200VFieldStopTrenchIGBT	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
IHW30N120R	文件：201.5 Kbytes Page：10 Pages	HighSpeed2-Technology ?Designedfor: -TV–HorizontalLineDeflection ?2ndgenerationHighSpeed-Technology for1200Vapplicationsoffers: -lossreductioninresonantcircuits -temperaturestablebehavior -parallelswitchingcapability -tightparameterdistribution -EoffoptimizedforIC=3A -simpleGa	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IHW30N120R	文件：977.75 Kbytes Page：12 Pages	IGBTwithmonolithicbodydiodeforsoftswitchingApplications	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IXDH30N120	文件：89.51 Kbytes Page：4 Pages	HighVoltageIGBTwithoptionalDiode	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXDH30N120	文件：94.32 Kbytes Page：4 Pages	HighVoltageIGBTwithoptionalDiode ShortCircuitSOACapabilitySquareRBSOA VCES=1200V IC25=60A VCE(sat)typ=2.4V Features ●NPTIGBTtechnology ●lowsaturationvoltage ●lowswitchinglosses ●squareRBSOA,nolatchup ●highshortcircuitcapability ●positivetemperaturecoefficientforeasyparalleling ●M	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXDR30N120	文件：69.09 Kbytes Page：4 Pages	HighVoltageIGBTwithoptionalDiodeISOPLUSTMpackage HighVoltageIGBTwithoptionalDiodeISOPLUS?package(ElectricallyIsolatedBackSide) ShortCircuitSOACapability SquareRBSOA Features ?NPTIGBTtechnology -highswitchingspeed -lowswitchinglosses -squareRBSOA,nolatchup -highshortcircuitcapability -	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXDT30N120	文件：94.32 Kbytes Page：4 Pages	HighVoltageIGBTwithoptionalDiode ShortCircuitSOACapabilitySquareRBSOA VCES=1200V IC25=60A VCE(sat)typ=2.4V Features ●NPTIGBTtechnology ●lowsaturationvoltage ●lowswitchinglosses ●squareRBSOA,nolatchup ●highshortcircuitcapability ●positivetemperaturecoefficientforeasyparalleling ●M	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXDT30N120	文件：89.51 Kbytes Page：4 Pages	HighVoltageIGBTwithoptionalDiode	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFB30N120P	文件：147.92 Kbytes Page：5 Pages	PolarHiPerFETPowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
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IXGA30N120	文件：348.6 Kbytes Page：3 Pages	TrenchgateField-StopIGBT DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=3.5V@IC=30A ·HighCurrentCapability ·HighInputImpedance ·FastSwitching APPLICATIONS ·FrequencyConverters ·AirConditioning ·UPS,PFC ·MotorDrives	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
KGT30N120NDA	文件：592.77 Kbytes Page：8 Pages	Highspeedswitching	KECKEC CORPORATION KEC株式會社	KEC
KGT30N120NDH	文件：593.17 Kbytes Page：8 Pages	Highspeedswitching	KECKEC CORPORATION KEC株式會社	KEC

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
GW30N120KD
制造商：
STMICROELECTRONICS
制造商全稱：
STMicroelectronics
功能描述：
30 A - 1200 V - short circuit rugged IGBT

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	GW30N120KD	ST	1926+	TO-247	6852	只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨假一賠十!	詢價(jià)
深圳市國宇半導(dǎo)體科技有限公司	GW30N120KD	ST/意法	23+	TO-247	10000	公司只做原裝正品	詢價(jià)
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深圳和潤天下電子科技有限公司	GW30N120KD	ST/意法	22+	TO-247	99176		詢價(jià)
深圳市宏捷佳電子科技有限公司	GW30N120KD	ST	24+	TO-247	35400	獨(dú)立分銷商公司只做原裝誠心經(jīng)營免費(fèi)試樣正品保證	詢價(jià)
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深圳市科芯源微電子有限公司	GW30N90D	ST/意法	24+	TO247	58000	全新原廠原裝正品現(xiàn)貨,可提供技術(shù)支持、樣品免費(fèi)!	詢價(jià)
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更多GW30N120KD供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-21 15:59:00

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