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STH210N75F6-2

N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=180A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=75V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=3.4mΩ(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·Switchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

STH210N75F6-2

High avalanche ruggedness

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    STH210N75F6-2

  • 功能描述：

    MOSFET N-ch 75V 0.0022 Ohm 180A STripFET VI

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
ST/意法
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STMicroelectronics
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50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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更多STH210N75F6-2供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-10-25 16:36:00

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