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STGWA30M65DF2

Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 30 A low loss

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)

STGWA30M65DF2

包裝:管件 封裝/外殼:TO-247-3 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT 650V 30A TO247-3

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)

G30M65DF2

Lowthermalresistance

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)

STGB30M65DF2

Lowthermalresistance

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)

STGF30M65DF2

Trenchgatefield-stopIGBT,Mseries650V,30Alow-lossinaTO-220FPpackage

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)

STGHU30M65DF2AG

Automotive-gradetrenchgatefield-stop650V,30Alow-lossMseriesIGBTinanHU3PAKpackage

Features ?AEC-Q101qualified ?Maximumjunctiontemperature:TJ=175°C ?6μsofminimumshort-circuitwithstandtime ?VCE(sat)=1.6V(typ.)@IC=30A ?Tightparameterdistribution ?Saferparalleling ?Lowthermalresistance ?Softandveryfast-recoveryantiparalleldiode ?Exc

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)

STGP30M65DF2

TrenchgateField-StopIGBT

DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.0V@IC=30A ·HighCurrentCapability ·HighInputImpedance ·FastSwitching APPLICATIONS ·SynchronousRectificationinSMPS ·AutomotiveChargers ·UPS,PFC ·HighVoltageAuxiliaries

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

STGP30M65DF2

Lowthermalresistance

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)

STGW30M65DF2

Trenchgatefield-stopIGBT,Mseries650V,30Alowloss

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    STGWA30M65DF2

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    溝槽型場(chǎng)截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2V @ 15V,30A

  • 開關(guān)能量:

    300μJ(開),960μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    31.6ns/115ns

  • 測(cè)試條件:

    400V,30A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247 長引線

  • 描述:

    IGBT 650V 30A TO247-3

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
ST(意法半導(dǎo)體)
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晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
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更多STGWA30M65DF2供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-10-25 17:48:00