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STGP30NC60K

30 A - 600 V - short circuit rugged IGBT

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

STGP30NC60K

Package:TO-220-3;包裝:卷帶(TR) 類別:分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT 600V 60A 185W TO220AB

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STGP30NC60S

30A,600V,fastIGBT

Features ■Optimizedperformanceformediumoperating frequenciesupto5kHzinhardswitching ■Lowon-voltagedrop(VCE(sat)) ■Highcurrentcapability Application Motordrive Description ThisdeviceutilizestheadvancedPowerMESH? processresultinginanexcellenttrade-off betw

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STGP30NC60W

N-channel30A-600V-TO-247-TO-220UltrafastswitchingPowerMESHTMIGBT

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STGP30NC60W

30A-600V-ultrafastIGBT

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STGW30NC60KD

30A-600V-shortcircuitruggedIGBT

Description ThisIGBTutilizestheadvancedPowerMESH?processresultinginanexcellenttrade-offbetweenswitchingperformanceandlowon-statebehavior. Features ■Lowon-voltagedrop(VCE(sat)) ■LowCres/Ciesratio(nocrossconductionsusceptibility) ■Shortcircuitwithstandtime10

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STGW30NC60VD

N-channel40A-600V-TO-247VeryfastswitchingPowerMESHTMIGBT

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STGW30NC60W

N-CHANNEL30A-600V-TO-247UltraFASTSwitchingPowerMESHIGBT

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STGW30NC60W

N-channel30A-600V-TO-247-TO-220UltrafastswitchingPowerMESHTMIGBT

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STGW30NC60W

30A-600V-ultrafastIGBT

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    STGP30NC60K

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    PowerMESH?

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.7V @ 15V,20A

  • 開關(guān)能量:

    350μJ(開),435μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    29ns/120ns

  • 測試條件:

    480V,20A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 供應商器件封裝:

    TO-220

  • 描述:

    IGBT 600V 60A 185W TO220AB

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多STGP30NC60K供應商 更新時間2025-4-8 14:00:00