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STGD5NB120SZT4_分立半導體產(chǎn)品 晶體管-UGBT、MOSFET-單-意法半導體

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原廠料號：STGD5NB120SZT4品牌：STMicroelectronics

資料說明：IGBT 1200V 10A 75W DPAK

STGD5NB120SZT4是分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商STMICROELECTRONICS/意法半導體生產(chǎn)封裝TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63的STGD5NB120SZT4晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

  • 芯片型號：

    stgd5nb120szt4

  • 規(guī)格書：

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  • 企業(yè)簡稱：

    STMICROELECTRONICS【意法半導體】詳情

  • 廠商全稱：

    STMicroelectronics

  • 中文名稱：

    意法半導體（ST）集團

  • 資料說明：

    IGBT 1200V 10A 75W DPAK

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    STGD5NB120SZT4

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    PowerMESH?

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2V @ 15V，5A

  • 開關能量：

    2.59mJ（開），9mJ（關）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關）值：

    690ns/12.1μs

  • 測試條件：

    960V，5A，1 千歐，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

  • 供應商器件封裝：

    DPAK

  • 描述：

    IGBT 1200V 10A 75W DPAK

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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