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STGD3NB60SD-1_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-UGBT、MOSFET-單-意法半導(dǎo)體

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原廠料號：STGD3NB60SD-1品牌：STMicroelectronics

資料說明：IGBT 600V 6A 48W DPAK

STGD3NB60SD-1是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商STMICROELECTRONICS/意法半導(dǎo)體生產(chǎn)封裝TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63的STGD3NB60SD-1晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號：

    stgd3nb60sd-1

  • 規(guī)格書：

    原廠下載 下載

  • 企業(yè)簡稱：

    STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    STMicroelectronics

  • 中文名稱：

    意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)

  • 資料說明：

    IGBT 600V 6A 48W DPAK

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    STGD3NB60SD-1

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    PowerMESH?

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    1.5V @ 15V，3A

  • 開關(guān)能量：

    1.1mJ（開），1.15mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    125μs/3.4μs

  • 測試條件：

    480V，3A，1 千歐，15V

  • 工作溫度：

    175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    DPAK

  • 描述：

    IGBT 600V 6A 48W DPAK

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ST/意法
17+
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31518
原裝正品 可含稅交易
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公司只做原裝正品
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STMicroelectronics
2022+
DPAK
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ST
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93480
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ST
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ST/意法
22+
IPAKTO-251
18744
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ST
24+
IPAKTO-251
12300
獨立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費試樣正品保證
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ST
24+
TO-252
7500
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ST
2020+
TO252
1076
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