首頁>熱銷型號第148頁>IXDR30N120D1>詳情

IXDR30N120D1_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-UGBT、MOSFET-單-IXYS

訂購數(shù)量 價格
1+
  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：IXDR30N120D1品牌：IXYS

資料說明：IGBT 1200V 50A 200W ISOPLUS247

IXDR30N120D1是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商IXYS/IXYS Corporation生產(chǎn)封裝TO-247-3的IXDR30N120D1晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號：

    ixdr30n120d1

  • 規(guī)格書：

    原廠下載 下載

  • 企業(yè)簡稱：

    IXYS詳情

  • 廠商全稱：

    IXYS Corporation

  • 資料說明：

    IGBT 1200V 50A 200W ISOPLUS247

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    IXDR30N120D1

  • 制造商：

    IXYS

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.9V @ 15V，30A

  • 開關(guān)能量：

    4.6mJ（開），3.4mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 測試條件：

    600V，30A，47 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    ISOPLUS247?

  • 描述：

    IGBT 1200V 50A 200W ISOPLUS247

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
Littelfuse/IXYS
新批次
TO-247
4500
詢價
Littelfuse/IXYS
23+
TO-247
928
原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務(wù)
 詢價
IXYS
23+
DIP18
6000
15年原裝正品企業(yè)
 詢價
IXYS
23+
NA
19960
只做進口原裝,終端工廠免費送樣
 詢價
IXYS艾賽斯
1626+
TO247
1225
代理品牌
 詢價
IXYS
18+
TO-247
2050
公司大量全新原裝 正品 隨時可以發(fā)貨
 詢價
IXYS
1931+
N/A
18
加我qq或微信，了解更多詳細(xì)信息,體驗一站式購物
 詢價
IXYS
2112+
Through Hole
105000
30個/管一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長期
 詢價
IXYS
1809+
TO-247
326
就找我吧!--邀您體驗愉快問購元件!
 詢價
IXYS/艾賽斯
23+
ISOPLUS247
10000
公司只做原裝正品
 詢價

相近型號