STGD3NB60SDT4_分立半導體產(chǎn)品 晶體管-UGBT、MOSFET-單-意法半導體

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原廠料號:STGD3NB60SDT4品牌:STMicroelectronics

資料說明:IGBT 600V 6A 48W DPAK

STGD3NB60SDT4是分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商STMICROELECTRONICS/意法半導體生產(chǎn)封裝TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63的STGD3NB60SDT4晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

  • 芯片型號:

    stgd3nb60sdt4

  • 規(guī)格書:

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  • 企業(yè)簡稱:

    STMICROELECTRONICS【意法半導體】詳情

  • 廠商全稱:

    STMicroelectronics

  • 中文名稱:

    意法半導體集團

  • 資料說明:

    IGBT 600V 6A 48W DPAK

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號:

    STGD3NB60SDT4

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    PowerMESH?

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    1.5V @ 15V,3A

  • 開關能量:

    1.15mJ(關)

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關)值:

    125μs/-

  • 測試條件:

    480V,3A,1 千歐,15V

  • 工作溫度:

    175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

  • 供應商器件封裝:

    DPAK

  • 描述:

    IGBT 600V 6A 48W DPAK

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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