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SCTWA70N120G2V中文資料意法半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

SCTWA70N120G2V
廠商型號

SCTWA70N120G2V

功能描述

Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 21 mΩ typ., 91 A

文件大小

229.28 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導體

中文名稱

意法半導體集團官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-7 20:00:00

SCTWA70N120G2V規(guī)格書詳情

Features

? Very fast and robust intrinsic body diode

? Extremely low gate charge and input capacitance

? Very high operating junction temperature capability (TJ = 200 °C)

Applications

? Switching mode power supply

? DC-DC converters

? Industrial motor control

Description

This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s

advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device

features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching

performance. The variation of switching loss is almost independent of junction

temperature.

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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