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SCTWA40N120G2AG中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
SCTWA40N120G2AG |
| 功能描述 | Automotive?grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mΩ typ., 33 A in an HiP247 long leads package |
| 絲印標(biāo)識(shí) | |
| 封裝外殼 | HiP247 |
| 文件大小 |
257.69 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
12 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | STMicroelectronics |
| 企業(yè)簡稱 |
STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-1-22 14:22:00 |
SCTWA40N120G2AG規(guī)格書詳情
Features
? AEC-Q101 qualified
? Very fast and robust intrinsic body diode
? Extremely low gate charge and input capacitance
? Very high operating junction temperature capability (TJ = 200 °C)
Applications
? Main inverter (electric traction)
? DC/DC converter for EV/HEV
? On board charger (OBC)
Description
This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s
advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device
features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching
performance. The variation of switching loss is almost independent of junction
temperature.
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半導(dǎo)體 |
22+ |
HiP-247-3 |
10000 |
只有原裝,原裝,假一罰十 |
詢價(jià) | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
2021+ |
HiP-247-3 |
7600 |
原裝現(xiàn)貨，歡迎詢價(jià) |
詢價(jià) | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
2020+ |
HiP-247-3 |
7600 |
只做原裝正品,賣元器件不賺錢交個(gè)朋友 |
詢價(jià) | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
21+ |
HiP-247-3 |
12820 |
公司只做原裝,誠信經(jīng)營 |
詢價(jià) | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
23+ |
HiP-247-3 |
6000 |
我們只做原裝正品,支持檢測。 |
詢價(jià) | ||
ST |
22+ |
原廠原封 |
16900 |
支持樣品 原裝現(xiàn)貨 提供技術(shù)支持! |
詢價(jià) | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
HiP-247-3 |
6000 |
詢價(jià) | ||||
ST/意法半導(dǎo)體 |
2023 |
HiP-247-3 |
4800 |
公司原裝現(xiàn)貨/支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
HiP-247-3 |
36900 |
集團(tuán)化配單-有更多數(shù)量-免費(fèi)送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī) |
詢價(jià) | |||
ST(意法) |
23+ |
15000 |
專業(yè)幫助客戶找貨 配單,誠信可靠! |
詢價(jià) |
