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SCTWA40N120G2AG中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

SCTWA40N120G2AG
廠商型號(hào)

SCTWA40N120G2AG

功能描述

Automotive?grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mΩ typ., 33 A in an HiP247 long leads package

絲印標(biāo)識(shí)

SCT40N120G2AG

封裝外殼

HiP247

文件大小

257.69 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

12 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡(jiǎn)稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-28 17:48:00

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SCTWA40N120G2AG規(guī)格書詳情

Features

? AEC-Q101 qualified

? Very fast and robust intrinsic body diode

? Extremely low gate charge and input capacitance

? Very high operating junction temperature capability (TJ = 200 °C)

Applications

? Main inverter (electric traction)

? DC/DC converter for EV/HEV

? On board charger (OBC)

Description

This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s

advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device

features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching

performance. The variation of switching loss is almost independent of junction

temperature.

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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