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SCTWA35N65G2VAG中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
| 廠商型號 |
SCTWA35N65G2VAG |
| 功能描述 | Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an HiP247 long leads package |
| 絲印標(biāo)識 | |
| 封裝外殼 | HiP247 |
| 文件大小 |
243.64 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
12 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | STMicroelectronics |
| 企業(yè)簡稱 |
STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-1-22 15:14:00 |
SCTWA35N65G2VAG規(guī)格書詳情
Features
? AEC-Q101 qualified
? Very fast and robust intrinsic body diode
? Low capacitance
Applications
? Switching mode power supply
? EV chargers
? DC-DC converters
Description
This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s
advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device
features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching
performance. The variation of switching loss is almost independent of junction
temperature.
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法半導(dǎo)體) |
23+ |
TO-247 |
8216 |
支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。 |
詢價 | ||
STMicroelectronics |
24+ |
TO-247 長引線 |
30000 |
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品 |
詢價 | ||
STMicroelectronics |
2022+ |
TO-247-3 |
38550 |
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨(dú)立分銷 |
詢價 | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
24+ |
HiP-247-3 |
10000 |
原裝公司現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
22+ |
HiP-247-3 |
10000 |
只有原裝,原裝,假一罰十 |
詢價 | ||
ST |
23+ |
TO2473 |
8000 |
只做原裝現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
ST |
23+ |
TO2473 |
7000 |
詢價 | |||
ST/意法半導(dǎo)體 |
21+ |
HiP-247-3 |
610880 |
本公司只售原裝 支持實(shí)單 |
詢價 | ||
ST/意法 |
23+ |
N/A |
5000 |
原裝分貨 強(qiáng)勢渠道 |
詢價 | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
2021+ |
HiP-247-3 |
7600 |
原裝現(xiàn)貨，歡迎詢價 |
詢價 |
