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NXH100B120H3Q0SG

Dual Boost Power Module

TheNXH100B120H3Q0isapowermodulecontainingadualboost stage.TheintegratedfieldstoptrenchIGBTsandSiCDiodesprovide lowerconductionlossesandswitchinglosses,enablingdesignersto achievehighefficiencyandsuperiorreliability. Features ?1200VUltraFieldStopIGBTs ?

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Dual Boost Power Module

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NXH100B120H3Q0SG

包裝：托盤 封裝/外殼：模塊 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - IGBT - 模塊 描述：PIM 60-80KW Q0BOOST-L57 1200V, 1

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NXH100B120H3Q0

DualBoostPowerModule

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NXH100B120H3Q0PG-R

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TheNXH100B120H3Q0isapowermodulecontainingadualboost stage.TheintegratedfieldstoptrenchIGBTsandSiCDiodesprovide lowerconductionlossesandswitchinglosses,enablingdesignersto achievehighefficiencyandsuperiorreliability. Features ?1200VUltraFieldStopIGBTs ?

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NXH100B120H3Q0PTG

DualBoostPowerModule

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NXH100B120H3Q0PTG

DualBoostPowerModule

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NXH100B120H3Q0STG

DualBoostPowerModule

TheNXH100B120H3Q0isapowermodulecontainingadualboost stage.TheintegratedfieldstoptrenchIGBTsandSiCDiodesprovide lowerconductionlossesandswitchinglosses,enablingdesignersto achievehighefficiencyandsuperiorreliability. Features ?1200VUltraFieldStopIGBTs ?

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    NXH100B120H3Q0SG

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 包裝：

    托盤

  • IGBT 類型：

    溝槽型場截止

  • 配置：

    2 個獨立式

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.3V @ 15V，50A

  • 輸入：

    標準

  • NTC 熱敏電阻：

    無

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    底座安裝

  • 封裝/外殼：

    模塊

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    22-PIM/Q0BOOST（55x32.5）

  • 描述：

    PIM 60-80KW Q0BOOST-L57 1200V, 1

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ON
23+
原廠原封
24
訂貨1周 原裝正品
 詢價
ON/安森美
22+
24000
原裝正品現(xiàn)貨,實單可談,量大價優(yōu)
 詢價
onsemi
23+
標準封裝
2000
全新原裝正品現(xiàn)貨直銷
 詢價
ON
24+
NA
25000
ON全系列可訂貨
 詢價
onsemi
24+
模塊
9350
獨立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費試樣正品保證
 詢價
onsemi(安森美)
2021+
Q0BOOST ? Case 180AJ
499
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7350
現(xiàn)貨供應(yīng),當天可交貨!免費送樣,原廠技術(shù)支持!!!
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onsemi(安森美)
23+
6000
誠信服務(wù)，絕對原裝原盤
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54000
一級代理-主營優(yōu)勢-實惠價格-不悔選擇
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ONSEMI
22
SOP12
21000
全新、原裝
 詢價
更多NXH100B120H3Q0SG供應(yīng)商 更新時間2025-1-6 10:32:00

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