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NXH40B120MNQ1SNG_V01

Silicon Carbide (SiC) Module – EliteSiC, 40 mohm SiC M1 MOSFET, 1200 V 40 A, 1200 V SiC Diode, Three Channel Full SiC Boost, Q1 Package

TheNXH40B120MNQ1SNGisapowermodulecontainingathree channelbooststage.TheintegratedSiCMOSFETsandSiCDiodes providelowerconductionlossesandswitchinglosses,enabling designerstoachievehighefficiencyandsuperiorreliability. Features ?1200V40mSiCMOSFETs ?LowR

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多NXH40B120MNQ1SNG_V01供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-4 8:40:00

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