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NXH40B120MNQ1SNG

Marking:NXH40B120MNQ1SNG;Package:PIM32;Silicon Carbide (SiC) Module – EliteSiC, 40 mohm SiC M1 MOSFET, 1200 V 40 A, 1200 V SiC Diode, Three Channel Full SiC Boost, Q1 Package

TheNXH40B120MNQ1SNGisapowermodulecontainingathree channelbooststage.TheintegratedSiCMOSFETsandSiCDiodes providelowerconductionlossesandswitchinglosses,enabling designerstoachievehighefficiencyandsuperiorreliability. Features ?1200V40mSiCMOSFETs ?LowR

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NXH40B120MNQ1SNG

Marking:NXH40B120MNQ1SNG;Package:PIM32;3 Channel Boost Q1 Power Module

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安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NXH40B120MNQ1SNG

Package:模塊;包裝:托盤 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - IGBT - 模塊 描述:30KW Q1BOOST FULL SIC

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NXH40B120MNQ1SNG_V01

Silicon Carbide (SiC) Module – EliteSiC, 40 mohm SiC M1 MOSFET, 1200 V 40 A, 1200 V SiC Diode, Three Channel Full SiC Boost, Q1 Package

TheNXH40B120MNQ1SNGisapowermodulecontainingathree channelbooststage.TheintegratedSiCMOSFETsandSiCDiodes providelowerconductionlossesandswitchinglosses,enabling designerstoachievehighefficiencyandsuperiorreliability. Features ?1200V40mSiCMOSFETs ?LowR

ONSEMION Semiconductor

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    NXH40B120MNQ1SNG

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 包裝:

    托盤

  • 配置:

    三,雙 - 共源

  • 輸入:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • NTC 熱敏電阻:

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    底座安裝

  • 封裝/外殼:

    模塊

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    32-PIM(71x37.4)

  • 描述:

    30KW Q1BOOST FULL SIC

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ON
23+
100000
全新原裝
詢價
ONSEMI
22
SOP12
40500
全新、原裝
詢價
ON
23+
原廠原封
21
訂貨1周 原裝正品
詢價
ON/安森美
22+
24000
原裝正品現(xiàn)貨,實單可談,量大價優(yōu)
詢價
onsemi
23+
標(biāo)準(zhǔn)封裝
2000
全新原裝正品現(xiàn)貨直銷
詢價
Onsemi/瀹夋.緹?20000
瀹炲崟璇風(fēng)數(shù)璇濊仈緋?189234603
22
詢價
onsemi
24+
模塊
9350
獨立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費試樣正品保證
詢價
onsemi(安森美)
2021+
Q1 3?Phase TNPC Case 180AS Pre
499
詢價
onsemi(安森美)
23+
7350
現(xiàn)貨供應(yīng),當(dāng)天可交貨!免費送樣,原廠技術(shù)支持!!!
詢價
ON
24+
NA
25000
ON全系列可訂貨
詢價
更多NXH40B120MNQ1SNG供應(yīng)商 更新時間2024-11-28 16:20:00