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NXH100B120H3Q0STG 分立半導體產(chǎn)品晶體管 - IGBT - 模塊 ONSEMI/安森美半導體

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  • 廠家型號:

    NXH100B120H3Q0STG

  • 產(chǎn)品分類:

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商:

    onsemi(安森美)

  • 庫存數(shù)量:

    6000

  • 產(chǎn)品封裝:

  • 生產(chǎn)批號:

    23+

  • 庫存類型:

    常用庫存

  • 更新時間:

    2025-1-6 8:00:00

  • 詳細信息
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原廠料號:NXH100B120H3Q0STG品牌:onsemi(安森美)

誠信服務,絕對原裝原盤

NXH100B120H3Q0STG是分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊。制造商onsemi(安森美)/onsemi生產(chǎn)封裝模塊的NXH100B120H3Q0STG晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導體器件,主要用作電子開關,兼具高效率和快速切換優(yōu)點。作為模塊,IGBT 配置為非對稱式橋; 升壓、降壓和制動斬波器;全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進行區(qū)分。

  • 芯片型號:

    NXH100B120H3Q0STG

  • 規(guī)格書:

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱:

    ONSEMI【安森美半導體】詳情

  • 廠商全稱:

    ON Semiconductor

  • 中文名稱:

    安森美半導體公司

  • 內(nèi)容頁數(shù):

    16 頁

  • 文件大?。?/span>

    1502.6 kb

  • 資料說明:

    Dual Boost Power Module

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號:

    NXH100B120H3Q0STG

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 包裝:

    散裝

  • IGBT 類型:

    溝槽型場截止

  • 配置:

    2 個獨立式

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.3V @ 15V,50A

  • 輸入:

    標準

  • NTC 熱敏電阻:

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    底座安裝

  • 封裝/外殼:

    模塊

  • 供應商器件封裝:

    22-PIM/Q0BOOST(55x32.5)

  • 描述:

    IGBT MODULE 1200V 50A 186W PIM22

供應商

  • 企業(yè):

    深圳市弘揚芯城科技有限公司

  • 商鋪:

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人:

    林書涵

  • 手機:

    19168708380

  • 詢價:
  • 電話:

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  • 地址:

    深圳市華強北南光捷佳大廈2917