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NP80N04EHE	文件：212.96 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Channeltemperature175degreerated ?Superlowon-stateresistance RDS(on)=8.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) ?Lowinputcapacitance Ciss=2200pF	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會社	NEC
NP80N04EHE	文件：299.24 Kbytes Page：12 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING CHANNELPOWERMOSFET FEATURES ?Channeltemperature175degreerated ?Superlowon-stateresistance RDS(on)=8.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) ?Lowinputcapacitance Ciss=2200pFTYP. ?Built-ingateprotectiondiode	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
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NP80N04EHE-E1-AY	文件：299.24 Kbytes Page：12 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING CHANNELPOWERMOSFET FEATURES ?Channeltemperature175degreerated ?Superlowon-stateresistance RDS(on)=8.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) ?Lowinputcapacitance Ciss=2200pFTYP. ?Built-ingateprotectiondiode	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP80N04EHE-E2-AY	文件：212.96 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Channeltemperature175degreerated ?Superlowon-stateresistance RDS(on)=8.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) ?Lowinputcapacitance Ciss=2200pF	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會社	NEC
NP80N04EHE-E2-AY	文件：299.24 Kbytes Page：12 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING CHANNELPOWERMOSFET FEATURES ?Channeltemperature175degreerated ?Superlowon-stateresistance RDS(on)=8.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) ?Lowinputcapacitance Ciss=2200pFTYP. ?Built-ingateprotectiondiode	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP80N04EHE_15	文件：299.83 Kbytes Page：12 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP80N04EHE-E1-AYNote1,2	文件：299.83 Kbytes Page：12 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP80N04EHE-E2-AYNote1,2	文件：299.83 Kbytes Page：12 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP80N04KHE	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP80N04KHE	文件：212.96 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTORSWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Channeltemperature175degreerated ?Superlowon-stateresistance RDS(on)=8.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) ?Lowinputcapacitance Ciss=2200pF	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會社	NEC
NP80N04KHE	文件：1.07393 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel40V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
NP80N04KHE	文件：299.24 Kbytes Page：12 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING CHANNELPOWERMOSFET FEATURES ?Channeltemperature175degreerated ?Superlowon-stateresistance RDS(on)=8.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) ?Lowinputcapacitance Ciss=2200pFTYP. ?Built-ingateprotectiondiode	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP80N04MDG	文件：968.67 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel40-V(D-S)MOSFET FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgandUISTested ??????? APPLICATIONS ?SynchronousRectification ?PowerSupplies	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
NP80N04MDG	文件：357.34 Kbytes Page：12 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheNP80N04MDG,NP80N04NDG,andNP80N04PDGareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Logiclevel ?Superlowon-stateresistance -NP80N04MDG,NP80N04NDG RDS(on)1=4.8mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) R	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP80N04MDG	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP80N04MHE	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
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NP80N04MHE	文件：212.96 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTORSWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Channeltemperature175degreerated ?Superlowon-stateresistance RDS(on)=8.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) ?Lowinputcapacitance Ciss=2200pF	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會社	NEC
NP80N04MHE	文件：968.54 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel40-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
NP80N04EHE
功能描述：
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-263AB

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	NP80N04EHE	NEC	23+	TO-263	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價
京海半導(dǎo)體(深圳)有限公司	NP80N04EHE	NEC	21+	SOT-263	10000	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價
深圳市創(chuàng)盛芯科技有限公司	NP80N04EHE	NEC	24+	TO-263	3750	原裝現(xiàn)貨假一賠十	詢價
深圳廊盛科技有限公司	NP80N04EHE	NEC	2022	TO-263	80000	原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢	詢價
深圳市得捷芯城科技有限公司	NP80N04EHE	NEC	23+	NA/	2500	優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票	詢價
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	NP80N04KHE	NEC	24+	TO-263	8866		詢價
深圳市近平電子有限公司	NP80N04KHE	NEC	6000	面議	19	TO-263	詢價
深圳市納艾斯科技有限公司	NP80N04KHE	R	2020+	TO263	80000	只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增	詢價
深圳市河鋒鑫科技有限公司	NP80N04KHE	NEC	TO-263	22+	6000	十年配單,只做原裝	詢價
易創(chuàng)佳業(yè)科技（深圳）有限公司	NP80N04KHE	NEC	23+	TO-263	6000	原裝正品，支持實單	詢價

更多NP80N04EHE供應(yīng)商更新時間2025-1-19 11:00:00

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