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NP80N06MLG-S18-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION TheNP80N06MLG,NP80N06NLG,andNP80N06PLGareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Logiclevel ?Built-ingateprotectiondiode ?Superlowon-stateresistance -NP80N06MLG,NP80N06NLG RDS(on)1=8.6mΩMAX

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NP80N06MLG-S18-AY

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

FEATURES ?175°CJunctionTemperature ?TrenchFET?PowerMOSFET ?Materialcategorization:

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

NP80N06MLG-S18-AYNote

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    NP80N06MLG-S18-AY

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 60V 80A TO-220

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn)：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
Renesas Electronics America
2022+
TO-220-3
38550
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨(dú)立分銷
 詢價(jià)
24+
N/A
65000
一級(jí)代理-主營優(yōu)勢-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇
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RENESAS/瑞薩
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瑞薩全系列在售,終端可出樣品
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RENESAS/瑞薩
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專業(yè)配單,原裝正品假一罰十,代理渠道價(jià)格優(yōu)
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RENESAS/瑞薩
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公司只做原裝正品
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RENESAS/瑞薩
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TO-263
20000
保證原裝正品,假一陪十
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RENESAS/瑞薩
23+
TO-263
50000
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RENESAS/瑞薩
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80000
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NEC
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NEC
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TO-263
6000
原裝正品，支持實(shí)單
 詢價(jià)
更多NP80N06MLG-S18-AY供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-6 8:24:00

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