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NP80N04MHE	文件：212.96 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Channeltemperature175degreerated ?Superlowon-stateresistance RDS(on)=8.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) ?Lowinputcapacitance Ciss=2200pF	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會社	NEC
NP80N04MHE	文件：299.24 Kbytes Page：12 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING CHANNELPOWERMOSFET FEATURES ?Channeltemperature175degreerated ?Superlowon-stateresistance RDS(on)=8.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) ?Lowinputcapacitance Ciss=2200pFTYP. ?Built-ingateprotectiondiode	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP80N04MHE	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	Product Scout Automotive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP80N04MHE	文件：968.54 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 40-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
NP80N04MHE-S18-AY	文件：212.96 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Channeltemperature175degreerated ?Superlowon-stateresistance RDS(on)=8.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) ?Lowinputcapacitance Ciss=2200pF	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會社	NEC
NP80N04MHE-S18-AY	文件：299.24 Kbytes Page：12 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING CHANNELPOWERMOSFET FEATURES ?Channeltemperature175degreerated ?Superlowon-stateresistance RDS(on)=8.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) ?Lowinputcapacitance Ciss=2200pFTYP. ?Built-ingateprotectiondiode	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP80N04MHE-S18-AY	文件：969.52 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 40-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
NP80N04MHE-S18-AYNote1	文件：299.83 Kbytes Page：12 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP80N04MLG	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP80N04MLG	文件：356.14 Kbytes Page：12 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheNP80N04MLG,NP80N04NLG,andNP80N04PLGareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Logiclevel ?Built-ingateprotectiondiode ?Superlowon-stateresistance -NP80N04MLG,NP80N04NLG RDS(on)1=4.8mΩMAX	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP80N04NDG	文件：357.34 Kbytes Page：12 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheNP80N04MDG,NP80N04NDG,andNP80N04PDGareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Logiclevel ?Superlowon-stateresistance -NP80N04MDG,NP80N04NDG RDS(on)1=4.8mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) R	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP80N04NDG	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
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NP80N04NHE	文件：299.24 Kbytes Page：12 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING CHANNELPOWERMOSFET FEATURES ?Channeltemperature175degreerated ?Superlowon-stateresistance RDS(on)=8.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) ?Lowinputcapacitance Ciss=2200pFTYP. ?Built-ingateprotectiondiode	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP80N04NHE	文件：212.96 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTORSWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Channeltemperature175degreerated ?Superlowon-stateresistance RDS(on)=8.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) ?Lowinputcapacitance Ciss=2200pF	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會社	NEC
NP80N04NLG	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP80N04NLG	文件：356.14 Kbytes Page：12 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheNP80N04MLG,NP80N04NLG,andNP80N04PLGareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Logiclevel ?Built-ingateprotectiondiode ?Superlowon-stateresistance -NP80N04MLG,NP80N04NLG RDS(on)1=4.8mΩMAX	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP80N04NUG	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP80N04NUG	文件：345.82 Kbytes Page：12 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheNP80N04NUGandNP80N04PUGareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Nonlogiclevel ?Superlowon-stateresistance -NP80N04NUG RDS(on)=4.8mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) -NP80N04PUG RDS(on	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP80N04PDG	文件：357.34 Kbytes Page：12 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheNP80N04MDG,NP80N04NDG,andNP80N04PDGareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Logiclevel ?Superlowon-stateresistance -NP80N04MDG,NP80N04NDG RDS(on)1=4.8mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) R	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS

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詳細參數(shù)

型號：
NP80N04MHE
制造商：
NEC
制造商全稱：
NEC
功能描述：
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	NP80N04MHE	NEC	24+	TO-220AB	8866		詢價
深圳市近平電子有限公司	NP80N04MHE	NEC	6000	面議	19	TO-220AB	詢價
深圳市國宇半導(dǎo)體科技有限公司	NP80N04MHE	NEC	23+	TO-220	10000	公司只做原裝正品	詢價
京海半導(dǎo)體(深圳)有限公司	NP80N04MHE	VB	21+	T0-220	10000	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價
深圳市河鋒鑫科技有限公司	NP80N04MHE	NEC	2022+	TO-220AB	12888	原廠代理終端免費提供樣品	詢價
易創(chuàng)佳業(yè)科技（深圳）有限公司	NP80N04MHE	NEC	23+	TO-220	6000	原裝正品，支持實單	詢價
深圳市晨豪科技有限公司	NP80N04MHE	RENESAS/瑞薩	23+	TO-220	89630	當天發(fā)貨全新原裝現(xiàn)貨	詢價
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	NP80N04MHE	NEC	22+	TO-220	25000	只做原裝進口現(xiàn)貨,專注配單	詢價
深圳市星辰微電科技有限公司	NP80N04MHE	RENESAS/瑞薩	22+	TO-220	12500	瑞薩全系列在售,終端可出樣品	詢價
深圳市芯皇電子有限公司	NP80N04MHE	RENESAS/瑞薩	22+	TO-220	9000	專業(yè)配單,原裝正品假一罰十,代理渠道價格優(yōu)	詢價

更多NP80N04MHE供應(yīng)商更新時間2025-1-3 15:30:00

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