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NP36P04KDG-E2-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION TheNP36P04KDGisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Superlowon-stateresistance RDS(on)1=17.0mΩMAX.(VGS=?10V,ID=?18A) RDS(on)2=23.5mΩMAX.(VGS=?4.5V,ID=?18A) ?Lowinputcapacitance

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社

NP36P04KDG-E2-AYNote

SWITCHING P-CHANNEL POWER MOSFET

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    NP36P04KDG-E2-AY

  • 制造商：

    NEC

  • 制造商全稱(chēng)：

    NEC

  • 功能描述：

    MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
Renesas
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更多NP36P04KDG-E2-AY供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-21 18:25:00

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