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NP36P06SLG-E1-AY

-60V–-36A–P-channelPowerMOSFETApplication:Automotive

Description ThisproductisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Superlowon-stateresistance:RDS(on)=30m?Max.(VGS=-10V,ID=-18A) RDS(on)=40m?Max.(VGS=-4.5V,ID=-18A) ?Lowinputcapacitance:Ciss=32

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NP36P06SLG-E1-AY

SWITCHINGP-CHANNELPOWERMOSFET

DESCRIPTION TheNP36P06SLGisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Superlowon-stateresistance RDS(on)1=30mΩMAX.(VGS=?10V,ID=?18A) RDS(on)2=40mΩMAX.(VGS=?4.5V,ID=?18A) ?Lowinputcapacitance Ci

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瑞薩瑞薩科技有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    NP36P06SLG-E1-AZ

  • 制造商：

    Renesas Electronics Corporation

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
RENESAS
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TO-252
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RENESAS/瑞薩
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更多NP36P06SLG-E1-AZ供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-22 16:50:00

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