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NP36P04KDG-E2-AY中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NP36P04KDG-E2-AY
廠商型號

NP36P04KDG-E2-AY

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

189.66 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Renesas Electronics America
企業(yè)簡稱

NEC瑞薩

中文名稱

日本瑞薩電子株式會社官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-29 16:55:00

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NP36P04KDG-E2-AY規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The NP36P04KDG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.

FEATURES

? Super low on-state resistance

RDS(on)1 = 17.0 mΩ MAX. (VGS = ?10 V, ID = ?18 A)

RDS(on)2 = 23.5 mΩ MAX. (VGS = ?4.5 V, ID = ?18 A)

? Low input capacitance

Ciss = 2800 pF TYP.

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    NP36P04KDG-E2-AY

  • 制造商:

    NEC

  • 制造商全稱:

    NEC

  • 功能描述:

    MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
Renesas
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