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MRF5812分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

MRF5812
廠商型號

MRF5812

參數(shù)屬性

MRF5812 封裝/外殼為8-SOIC(0.154",3.90mm 寬);包裝為帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8SOIC

功能描述

RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS

封裝外殼

8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

文件大小

125.09 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 Advanced Power Technology
企業(yè)簡稱

ADPOW

中文名稱

Advanced Power Technology官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-1-26 23:00:00

MRF5812規(guī)格書詳情

DESCRIPTION: Designed for high current, low power, low noise, amplifiers up to 1.0 GHz.

Features

? Low Noise - 2.5 dB @ 500 MHZ

? Associated Gain = 15.5 dB @ 500 MHz

? Ftau - 5.0 GHz @ 10v, 75mA

? Cost Effective SO-8 package

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    MRF5812

  • 制造商:

    Microsemi Corporation

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    15V

  • 頻率 - 躍遷:

    5GHz

  • 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時(shí)的典型值):

    2dB ~ 3dB @ 500MHz

  • 增益:

    13dB ~ 15.5dB

  • 功率 - 最大值:

    1.25W

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    50 @ 50mA,5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    200mA

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    8-SOIC

  • 描述:

    RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8SOIC

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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