MRF581分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
MRF581 |
| 參數(shù)屬性 | MRF581 封裝/外殼為微型-X 陶瓷 84C；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：RF TRANS NPN 18V 5GHZ MICRO X |
| 功能描述 | NPN SILICON RF TRANSISTOR |
| 封裝外殼 | 微型-X 陶瓷 84C |
| 文件大小 |
35.95 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
1 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Advanced Semiconductor |
| 企業(yè)簡稱 |
ASI |
| 中文名稱 | Advanced Semiconductor官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-2-16 15:03:00 |
MRF581規(guī)格書詳情
DESCRIPTION:
The MRF581 is Designed for High current low Power Amplifier Applications up to 1.0 GHz.
FEATURES:
? Low Noise Figure
? Low Intermodulation Distortion
? High Gain
? Omnigold? Metalization System
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
MRF581
- 制造商：
Microsemi Corporation
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
- 包裝：
卷帶（TR）
- 晶體管類型：
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
18V
- 頻率 - 躍遷：
5GHz
- 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）：
3dB ~ 3.5dB @ 500MHz
- 增益：
13dB ~ 15.5dB
- 功率 - 最大值：
1.25W
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
50 @ 50mA，5V
- 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：
200mA
- 工作溫度：
150°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
微型-X 陶瓷 84C
- 供應(yīng)商器件封裝：
微型-X 陶瓷 84C
- 描述：
RF TRANS NPN 18V 5GHZ MICRO X
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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