MRF581分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
MRF581 |
參數(shù)屬性 | MRF581 封裝/外殼為微型-X 陶瓷 84C;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 18V 5GHZ MICRO X |
功能描述 | RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS |
封裝外殼 | 微型-X 陶瓷 84C |
文件大小 |
99.08 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
3 頁 |
生產(chǎn)廠商 | New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. |
企業(yè)簡稱 |
NJSEMI【新澤西半導(dǎo)體】 |
中文名稱 | 新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時(shí)間 | 2025-1-15 9:10:00 |
MRF581規(guī)格書詳情
DESCRIPTION: Designed for high current, low power, low noise, amplifiers up to 1.0 GHz.
Features
? Low Noise - 2.5 dB @ 500 MHZ
? Gain at Optimum Noise Figure = 15.5 dB @ 500 MHz
? Ftau - 5.0 GHz @ 10v, 75mA
? Cost Effective MacroX Package
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
MRF581
- 制造商:
Microsemi Corporation
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻
- 包裝:
卷帶(TR)
- 晶體管類型:
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):
18V
- 頻率 - 躍遷:
5GHz
- 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時(shí)的典型值):
3dB ~ 3.5dB @ 500MHz
- 增益:
13dB ~ 15.5dB
- 功率 - 最大值:
1.25W
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):
50 @ 50mA,5V
- 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):
200mA
- 工作溫度:
150°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
微型-X 陶瓷 84C
- 供應(yīng)商器件封裝:
微型-X 陶瓷 84C
- 描述:
RF TRANS NPN 18V 5GHZ MICRO X
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
MICROSEMI/美高森美 |
23+ |
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