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MRF581分立半導體產(chǎn)品晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

MRF581
廠商型號

MRF581

參數(shù)屬性

MRF581 封裝/外殼為微型-X 陶瓷 84C;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 18V 5GHZ MICRO X

功能描述

RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS
RF TRANS NPN 18V 5GHZ MICRO X

文件大小

240.39 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 Microsemi Corporation
企業(yè)簡稱

Microsemi美高森美

中文名稱

美高森美公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2024-11-14 22:58:00

MRF581規(guī)格書詳情

DESCRIPTION: Designed for high current, low power, low noise, amplifiers up to 1.0 GHz.

Features

? Low Noise - 2.5 dB @ 500 MHZ

? Gain at Optimum Noise Figure = 15.5 dB @ 500 MHz

? Ftau - 5.0 GHz @ 10v, 75mA

? Cost Effective MacroX Package

MRF581屬于分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻。美高森美公司制造生產(chǎn)的MRF581晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導體器件,用于在涉及射頻的設備中開關或放大信號。雙極結型晶體管設計為 NPN 或 PNP,特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    MRF581

  • 制造商:

    Microsemi Corporation

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    18V

  • 頻率 - 躍遷:

    5GHz

  • 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):

    3dB ~ 3.5dB @ 500MHz

  • 增益:

    13dB ~ 15.5dB

  • 功率 - 最大值:

    1.25W

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    50 @ 50mA,5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    200mA

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    微型-X 陶瓷 84C

  • 供應商器件封裝:

    微型-X 陶瓷 84C

  • 描述:

    RF TRANS NPN 18V 5GHZ MICRO X

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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