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MRF19085LSR3

RF Power Field Effect Transistors

TheRFMOSFETLine RFPowerFieldEffectTransistors N–ChannelEnhancement–ModeLateralMOSFETs DesignedforPCNandPCSbasestationapplicationswithfrequenciesfrom1.9to2.0GHz.SuitableforTDMA,CDMAandmulticarrieramplifierapplications. ?Typical2-CarrierN-CDMAPerformanceforV

Motorola

Motorola, Inc

MRF19085LSR3

RF Power Field Effect Transistors

RFPowerFieldEffectTransistors N-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs DesignedforPCNandPCSbasestationapplicationswithfrequenciesfrom1900to2000MHz.SuitableforTDMA,CDMAandmulticarrieramplifierapplications. ?Typical2-CarrierN-CDMAPerformanceforVDD=26Volts,

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導體

MRF19085LSR3

包裝:卷帶(TR) 封裝/外殼:NI-780S 類別:分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻 描述:FET RF 65V 1.99GHZ NI-780S

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    MRF19085LSR3

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    1.93GHz ~ 1.99GHz

  • 增益:

    13dB

  • 功率 - 輸出:

    18W

  • 封裝/外殼:

    NI-780S

  • 供應商器件封裝:

    NI-780S

  • 描述:

    FET RF 65V 1.99GHZ NI-780S

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Freescale
16+
NI-780S
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原裝現(xiàn)貨假一罰十
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NI780S
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更多MRF19085LSR3供應商 更新時間2024-11-2 8:00:00