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MRF21030LR5

RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs

RFPowerFieldEffectTransistors N--ChannelEnhancement--ModeLateralMOSFETs DesignedforPCNandPCSbasestationapplicationswithfrequenciesfrom2000to2200MHz.SuitableforFM,TDMA,CDMAandmulticarrieramplifierapplications.TobeusedinClassABforPCN--PCS/cellularradioandWL

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導體

MRF21030LR5

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：NI-400 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：FET RF 65V 2.14GHZ NI-400

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    MRF21030LR5

  • 制造商：

    NXP USA Inc.

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    LDMOS

  • 頻率：

    2.14GHz

  • 增益：

    13dB

  • 功率 - 輸出：

    30W

  • 封裝/外殼：

    NI-400

  • 供應商器件封裝：

    NI-400

  • 描述：

    FET RF 65V 2.14GHZ NI-400

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多MRF21030LR5供應商 更新時間2025-1-3 13:30:00

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