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MRF19085LSR3分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
MRF19085LSR3 |
| 參數(shù)屬性 | MRF19085LSR3 封裝/外殼為NI-780S；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：FET RF 65V 1.99GHZ NI-780S |
| 功能描述 | RF Power Field Effect Transistors |
| 封裝外殼 | NI-780S |
| 文件大小 |
584.79 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
12 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Motorola, Inc |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
Motorola【摩托羅拉】 |
| 中文名稱 | 加爾文制造公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-2-27 22:30:00 |
| 人工找貨 | MRF19085LSR3價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
MRF19085LSR3規(guī)格書詳情
The RF MOSFET Line
RF Power Field Effect Transistors
N–Channel Enhancement–Mode Lateral MOSFETs
Designed for PCN and PCS base station applications with frequencies from 1.9 to 2.0 GHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications.
? Typical 2-Carrier N-CDMA Performance for VDD = 26 Volts,
IDQ = 850 mA, Pout = 18 Watts Avg., f1 = 1960 MHz, f2 = 1962.5 MHz
IS-95 CDMA (Pilot, Sync, Paging, Traffic Codes 8 Through 13)
1.2288 MHz Channel Bandwidth Carrier. Adjacent Channels Measured
over a 30 kHz Bandwidth at f1 -885 Khz and f2 +885 kHz. Distortion
Products Measured over 1.2288 MHz Bandwidth at f1 -2.5 MHz and
f2 +2.5 MHz. Peak/Avg. = 9.8 dB @ 0.01 Probability on CCDF.
Output Power — 18 Watts Avg.
Power Gain — 13.0 dB
Efficiency — 23
ACPR — -51 dB
IM3 — -36.5 dBc
? Internally Matched, Controlled Q, for Ease of Use
? High Gain, High Efficiency and High Linearity
? Integrated ESD Protection
? Designed for Maximum Gain and Insertion Phase Flatness
? Capable of Handling 5:1 VSWR, @ 26 Vdc, 1.93 GHz, 90 Watts CW Output Power
? Excellent Thermal Stability
? Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters
? Available with Low Gold Plating Thickness on Leads. L Suffix Indicates 40μ″ Nominal.
? In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 56 mm, 13 Inch Reel.
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
MRF19085LSR3
- 制造商：
NXP USA Inc.
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
卷帶（TR）
- 晶體管類型：
LDMOS
- 頻率：
1.93GHz ~ 1.99GHz
- 增益：
13dB
- 功率 - 輸出：
18W
- 封裝/外殼：
NI-780S
- 供應(yīng)商器件封裝：
NI-780S
- 描述：
FET RF 65V 1.99GHZ NI-780S
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MOTOROLA |
2018+ |
高頻管 |
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