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MRF19085LSR3分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
MRF19085LSR3 |
| 參數(shù)屬性 | MRF19085LSR3 封裝/外殼為NI-780S；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：FET RF 65V 1.99GHZ NI-780S |
| 功能描述 | RF Power Field Effect Transistors |
| 封裝外殼 | NI-780S |
| 文件大小 |
421.6 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
12 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Freescale Semiconductor, Inc |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
freescale【飛思卡爾】 |
| 中文名稱 | 飛思卡爾半導(dǎo)體官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-2-27 22:30:00 |
| 人工找貨 | MRF19085LSR3價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
MRF19085LSR3規(guī)格書詳情
RF Power Field Effect Transistors
N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
Designed for PCN and PCS base station applications with frequencies from 1900 to 2000 MHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications.
? Typical 2-Carrier N-CDMA Performance for VDD = 26 Volts,
IDQ = 850 mA, Pout = 18 Watts Avg., f1 = 1960 MHz, f2 = 1962.5 MHz
IS-95 CDMA (Pilot, Sync, Paging, Traffic Codes 8 Through 13)
1.2288 MHz Channel Bandwidth Carrier. Adjacent Channels Measured
over a 30 kHz Bandwidth at f1 -885 Khz and f2 +885 kHz. Distortion
Products Measured over 1.2288 MHz Bandwidth at f1 -2.5 MHz and
f2 +2.5 MHz. Peak/Avg. = 9.8 dB @ 0.01 Probability on CCDF.
Output Power — 18 Watts Avg.
Power Gain — 13.0 dB
Efficiency — 23
ACPR — -51 dB
IM3 — -36.5 dBc
? Capable of Handling 5:1 VSWR, @ 26 Vdc, 1960 MHz, 90 Watts CW Output Power
Features
? Internally Matched for Ease of Use
? High Gain, High Efficiency and High Linearity
? Integrated ESD Protection
? Designed for Maximum Gain and Insertion Phase Flatness
? Excellent Thermal Stability
? Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters
? Available with Low Gold Plating Thickness on Leads. L Suffix Indicates 40μ″ Nominal.
? RoHS Compliant
? In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 56 mm, 13 Inch Reel.
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
MRF19085LSR3
- 制造商：
NXP USA Inc.
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
卷帶（TR）
- 晶體管類型：
LDMOS
- 頻率：
1.93GHz ~ 1.99GHz
- 增益：
13dB
- 功率 - 輸出：
18W
- 封裝/外殼：
NI-780S
- 供應(yīng)商器件封裝：
NI-780S
- 描述：
FET RF 65V 1.99GHZ NI-780S
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MOTOROLA |
2018+ |
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