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MGP20N14CL中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

MGP20N14CL
廠商型號(hào)

MGP20N14CL

功能描述

SMARTDISCRETES Internally Clamped, N-Channel IGBT

文件大小

75.74 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

4 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱(chēng)

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-11-7 20:00:00

MGP20N14CL規(guī)格書(shū)詳情

SMARTDISCRETES Internally Clamped, N-Channel IGBT

This Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features Gate–Emitter ESD protection, Gate–Collector overvoltage protection from SMARTDISCRETES? monolithic circuitry for usage as an Ignition Coil Driver.

? Temperature Compensated Gate–Collector Clamp Limits Stress Applied to Load

? Integrated ESD Diode Protection

? Low Threshold Voltage to Interface Power Loads to Logic or Microprocessors

? Low Saturation Voltage

? High Pulsed Current Capability

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    MGP20N14CL

  • 制造商:

    Rochester Electronics LLC

  • 功能描述:

    - Bulk

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ON/安森美
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