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MGP15N40CL分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF中文資料

MGP15N40CL
廠商型號(hào)

MGP15N40CL
參數(shù)屬性

MGP15N40CL 封裝/外殼為T(mén)O-220-3；包裝為卷帶（TR）；類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 440V 15A 150W TO220AB
功能描述

Ignition IGBT 15 Amps, 410 Volts
IGBT 440V 15A 150W TO220AB
封裝外殼

TO-220-3
文件大小

81.32 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

12 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】

中文名稱(chēng)

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-6-9 14:09:00
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MGP15N40CL規(guī)格書(shū)詳情

MGP15N40CL屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的MGP15N40CL晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類(lèi)型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

Internally Clamped N-Channel IGBT

This Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features monolithic circuitry integrating ESD and Over–Voltage clamped protection for use in inductive coil drivers applications. Primary uses include Ignition, Direct Fuel Injection, or wherever high voltage and high current switching is required.

? Gate–Emitter ESD Protection

? Temperature Compensated Gate–Collector Voltage Clamp Limits Stress Applied to Load

? Integrated ESD Diode Protection

? Low Threshold Voltage to Interface Power Loads to Logic or Microprocessor Devices

? Low Saturation Voltage

? High Pulsed Current Capability

? Optional Gate Resistor (RG)

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    MGP15N40CL

  • 制造商：

    onsemi

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.9V @ 4V，25A

  • 輸入類(lèi)型：

    邏輯

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    -/4μs

  • 測(cè)試條件：

    300V，6.5A，1 千歐

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類(lèi)型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-220

  • 描述：

    IGBT 440V 15A 150W TO220AB

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