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NP80N04CHE	文件：299.24 Kbytes Page：12 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING CHANNELPOWERMOSFET FEATURES ?Channeltemperature175degreerated ?Superlowon-stateresistance RDS(on)=8.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) ?Lowinputcapacitance Ciss=2200pFTYP. ?Built-ingateprotectiondiode	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP80N04CHE	文件：968.7 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel40-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
NP80N04CHE	文件：212.96 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTORSWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Channeltemperature175degreerated ?Superlowon-stateresistance RDS(on)=8.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) ?Lowinputcapacitance Ciss=2200pF	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社	NEC
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NP80N04MDG	文件：357.34 Kbytes Page：12 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheNP80N04MDG,NP80N04NDG,andNP80N04PDGareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Logiclevel ?Superlowon-stateresistance -NP80N04MDG,NP80N04NDG RDS(on)1=4.8mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) R	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
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NP80N04MLG	文件：356.14 Kbytes Page：12 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheNP80N04MLG,NP80N04NLG,andNP80N04PLGareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Logiclevel ?Built-ingateprotectiondiode ?Superlowon-stateresistance -NP80N04MLG,NP80N04NLG RDS(on)1=4.8mΩMAX	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
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更多MCAC80N04Y供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-1 10:34:00

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