放荡的女老板BD,最新jizz欧美,欧美同性猛男gay69

首頁(yè) >K25N120>規(guī)格書列表

零件編號(hào)	下載&訂購(gòu)	功能描述	制造商&上傳企業(yè)	LOGO
K25N120	文件：329.74 Kbytes Page：13 Pages	Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
KGF25N120KDA	文件：1.57082 Mbytes Page：8 Pages	Highspeedswitching	KECKEC CORPORATION KEC株式會(huì)社	KEC
KGH25N120NDA	文件：64.44 Kbytes Page：6 Pages	SEMICONDUCTORTECHNICALDATA GeneralDescription KECNPTIGBTsofferlowestlossesandhighestenergyefficiencyforapplicationsuchasIH(inductionheating),UPS,Generalinverterandothersoftswitchingapplications. FEATURES ·Highspeedswitching ·Highersystemefficiency ·Softcurrentturn-offwavef	KECKEC CORPORATION KEC株式會(huì)社	KEC
KGT25N120KDA	文件：573.35 Kbytes Page：8 Pages	Highspeedswitching	KECKEC CORPORATION KEC株式會(huì)社	KEC
KGT25N120KDA	文件：567.69 Kbytes Page：8 Pages	SEMICONDUCTORTECHNICALDATA	KECKEC CORPORATION KEC株式會(huì)社	KEC
KGT25N120NDA	文件：123.9 Kbytes Page：8 Pages	SEMICONDUCTORTECHNICALDATA	KECKEC CORPORATION KEC株式會(huì)社	KEC
KGT25N120NDH	文件：1.48621 Mbytes Page：7 Pages	Highspeedswitching	KECKEC CORPORATION KEC株式會(huì)社	KEC
MGY25N120	文件：228.6 Kbytes Page：6 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)usesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltageblockingcapability.ShortcircuitratedIGBT’sarespecificallysuitedforapplicationsrequiringaguaranteedshortcircuitwithstandtime.Fastswitchingcharacteri	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MGY25N120	文件：153.58 Kbytes Page：5 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)usesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltageblockingcapability.ShortcircuitratedIGBT’sarespecificallysuitedforapplicationsrequiringaguaranteedshortcircuitwithstandtime.Fastswitchingcharacteri	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MGY25N120D	文件：171.59 Kbytes Page：6 Pages	InsulatedGateBipolarTransistorwithAnti-ParallelDiode InsulatedGateBipolarTransistorwithAnti-ParallelDiode N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)isco–packagedwithasoftrecoveryultra–fastrectifierandusesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltageblock	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MGY25N120D	文件：256.3 Kbytes Page：6 Pages	InsulatedGateBipolarTransistorwithAnti-ParallelDiode InsulatedGateBipolarTransistorwithAnti-ParallelDiode N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)isco–packagedwithasoftrecoveryultra–fastrectifierandusesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltageblock	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MIW25N120FA	文件：1.02325 Mbytes Page：7 Pages	TrenchandFieldStopIGBT1200V25A Features ?LowVCE(sat)Trench-FSIGBTtechnology ?Positivetemperaturecoefficient ?Includingfast&softrecoveryanti-parallelFWD ?Highshortcircuitcapability(10us) ?HalogenFree.“Green”Device(Note1) ?EpoxyMeetsUL94V-0FlammabilityRating ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司	MCC
MIW25N120FA-BP	文件：1.02325 Mbytes Page：7 Pages	TrenchandFieldStopIGBT1200V25A Features ?LowVCE(sat)Trench-FSIGBTtechnology ?Positivetemperaturecoefficient ?Includingfast&softrecoveryanti-parallelFWD ?Highshortcircuitcapability(10us) ?HalogenFree.“Green”Device(Note1) ?EpoxyMeetsUL94V-0FlammabilityRating ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司	MCC
NGTB25N120FLWG	文件：188.23 Kbytes Page：10 Pages	IGBT	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NGTB25N120IHLWG	文件：175.61 Kbytes Page：9 Pages	Incorporatedintothedeviceisaruggedco??ackagedfreewheelingdiodewithalowforwardvoltage.	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NGTB25N120LWG	文件：179.23 Kbytes Page：9 Pages	IGBT	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NGTB25N120SWG	文件：90.5 Kbytes Page：5 Pages	IGBT-InverterWelding	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
RLPGB25N120CT	文件：1.65018 Mbytes Page：6 Pages	IGBT Features ?1200V,25A ?VCE(sat)(typ.)=2.2V@VGE=15V,IC=25A ?Highspeedswitching ?Highersystemefficiency ?Softcurrentturn-offwaveforms ?SquareRBSOAusingNPTtechnology GeneralDescription NPTIGBTsofferlowerlossesandhigherenergy efficiencyforapplicationsuchasIH(induc	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣電子唯圣電子有限公司	GWSEMI
RLTPGB25N120CT	文件：426.05 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELIGBT APPLICATIONS ?Generalpurposeinverters ?UPS FEATURES ?Lowgatecharge ?TrenchFSTechnology, ?Saturationvoltage:VCE(sat),typ=1.9VIC=25AandTC=25°C	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣電子唯圣電子有限公司	GWSEMI
SGH25N120	文件：499.71 Kbytes Page：7 Pages	ShortCircuitRatedIGBT GeneralDescription FairchildsRUFseriesofInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)provideslowconductionandswitchinglossesaswellasshortcircuitruggedness.TheRUFseriesisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrol,uninterruptedpowersupplies(UPS)andgeneralinverterswhe	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild

12 >>>

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	K25N120	Infineon	24+	TO247	700		詢價(jià)
齊創(chuàng)科技(上海,北京,青島)有限公司	K25N120	INFINEON英飛凌	23+	TO-3P	5000	原裝正品,假一罰十	詢價(jià)
深圳誠(chéng)思涵科技有限公司	K25N120	INFINEO	18+	TO-247	85600	保證進(jìn)口原裝可開17%增值稅發(fā)票	詢價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	K25N120	INFINEON	22+	TO-3P	8000	終端可免費(fèi)供樣,支持BOM配單	詢價(jià)
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	K25N120	INFINEON	23+	TO-3P	8000	只做原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
天津市博通航睿技術(shù)有限公司	K25N120	INFINEON	23+	TO-3P	7000		詢價(jià)
深圳市博浩通科技有限公司	K25N120/K25T1202/H25	英飛凌	23+	TO-247	3000	全新原裝	詢價(jià)
深圳市宇集芯電子有限公司	K25S	VMI	24+	N/A	8000	一級(jí)代理現(xiàn)貨、保證進(jìn)口原裝正品假一罰十價(jià)格合理	詢價(jià)
深圳市毅創(chuàng)騰電子科技有限公司	K25T120	INFINEON	23+	TO-247	1200	絕對(duì)全新原裝!優(yōu)勢(shì)供貨渠道!特價(jià)!請(qǐng)放心訂購(gòu)!	詢價(jià)
深圳市星佑電子有限公司	K25T120	INFINEON	03/04+	TO247	285	全新原裝100真實(shí)現(xiàn)貨供應(yīng)	詢價(jià)

更多K25N120供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-23 15:30:00

相關(guān)規(guī)格書

相關(guān)庫(kù)存