MGY25N120中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
MGY25N120 |
| 功能描述 | Insulated Gate Bipolar Transistor |
| 文件大小 |
153.58 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
5 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | ON Semiconductor |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-2-27 22:58:00 |
| 人工找貨 | MGY25N120價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
MGY25N120規(guī)格書詳情
This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) uses an advanced termination scheme to provide an enhanced and reliable high voltage blocking capability. Short circuit rated IGBT’s are specifically suited for applications requiring a guaranteed short circuit withstand time. Fast switching characteristics result in efficient operation at high frequencies.
? Industry Standard High Power TO–264 Package (TO–3PBL)
? High Speed Eoff: 216 J/A typical at 125°C
? High Short Circuit Capability – 10 s minimum
? Robust High Voltage Termination
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
MGY25N120
- 制造商：
Motorola Inc
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
麥科 |
2016+ |
SMD |
50000 |
只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票! |
詢價(jià) | ||
麥科 |
24+ |
0402 |
50000 |
全新原裝數(shù)量均有多電話咨詢 |
詢價(jià) | ||
麥科 |
22+23+ |
0402 |
56659 |
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詢價(jià) | ||
ON/安森美 |
23+ |
NA |
12095 |
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詢價(jià) | ||
AMOTEC |
24+ |
06 03 |
608900 |
一站配齊 原盒原包現(xiàn)貨 朱S Q2355605126 |
詢價(jià) | ||
mot |
24+ |
N/A |
6980 |
原裝現(xiàn)貨,可開13%稅票 |
詢價(jià) | ||
普德新星 |
23+ |
MODULE |
13000 |
原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種 |
詢價(jià) | ||
24+ |
N/A |
2000 |
詢價(jià) | ||||
MICROGATE |
24+ |
SMD |
90000 |
一級(jí)代理商進(jìn)口原裝現(xiàn)貨、假一罰十價(jià)格合理 |
詢價(jià) | ||
ON |
2022+ |
NA |
8600 |
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詢價(jià) |
