MGY25N120中文資料摩托羅拉數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
MGY25N120 |
| 功能描述 | Insulated Gate Bipolar Transistor |
| 文件大小 |
228.6 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
6 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Motorola, Inc |
| 企業(yè)簡稱 |
Motorola【摩托羅拉】 |
| 中文名稱 | 加爾文制造公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-2-27 22:58:00 |
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MGY25N120規(guī)格書詳情
This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) uses an advanced termination scheme to provide an enhanced and reliable high voltage blocking capability. Short circuit rated IGBT’s are specifically suited for applications requiring a guaranteed short circuit withstand time. Fast switching characteristics result in efficient operation at high frequencies.
? Industry Standard High Power TO–264 Package (TO–3PBL)
? High Speed Eoff: 216 J/A typical at 125°C
? High Short Circuit Capability – 10 s minimum
? Robust High Voltage Termination
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
MGY25N120
- 制造商：
Motorola Inc
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
麥科 |
2016+ |
SMD |
50000 |
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詢價(jià) | ||
麥科 |
24+ |
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50000 |
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詢價(jià) | ||
麥科 |
22+23+ |
0402 |
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24+ |
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24+ |
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普德新星 |
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13000 |
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2000 |
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