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IXGK50N60B2D1

HiPerFAST IGBT with Diode

B2-ClassHighSpeedIGBTs Features ?HighfrequencyIGBTand anti-parallelFREDinonepackage ?Highcurrenthandlingcapability ?MOSGateturn-onfordrivesimplicity ?FastRecoveryEpitaxialDiode(FRED) withsoftrecoveryandlowIRM Applications ?Switch-modeandresonant-mod

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IXYS Corporation

IXGK50N60B2D1

包裝：管件 封裝/外殼：TO-264-3，TO-264AA 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 75A 400W TO264

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IXGR50N60B2D1

B2-ClassHighSpeedIGBTs(ElectricallyIsolatedBackSurface)

Features ?DCBIsolatedmountingtab ?MeetsTO-247ADpackageOutline ?Highcurrenthandlingcapability ?LatestgenerationHDMOSTMprocess ?MOSGateturn-on-drivesimplicity Applications ?Uninterruptiblepowersupplies(UPS) ?Switched-modeandresonant-modepowersupplies ?ACmoto

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IXYS Corporation

IXGX50N60B2D1

HiPerFASTIGBTwithDiode

B2-ClassHighSpeedIGBTs Features ?HighfrequencyIGBTand anti-parallelFREDinonepackage ?Highcurrenthandlingcapability ?MOSGateturn-onfordrivesimplicity ?FastRecoveryEpitaxialDiode(FRED) withsoftrecoveryandlowIRM Applications ?Switch-modeandresonant-mod

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IXGK50N60B2D1

  • 制造商：

    IXYS

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    HiPerFAST?

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    PT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2V @ 15V，40A

  • 開關(guān)能量：

    550μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    18ns/190ns

  • 測試條件：

    480V，40A，5 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-264-3，TO-264AA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-264（IXGK）

  • 描述：

    IGBT 600V 75A 400W TO264

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多IXGK50N60B2D1供應(yīng)商 更新時間2024-10-26 15:30:00

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