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IXGK55N120A3H1

GenX3 1200V IGBTs w/ Diode

Ultra-Low-VsatPTIGBTsforupto3kHzSwitching Features ?OptimizedforLowConductionLosses ?Anti-ParallelUltraFastDiode Advantages ?HighPowerDensity ?LowGateDriveRequirement Applications ?PowerInverters ?UPS ?MotorDrives ?SMPS ?PFCCircuits ?BatteryChargers ?

IXYS

IXYS Corporation

IXGK55N120A3H1

包裝：托盤 封裝/外殼：TO-264-3，TO-264AA 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 1200V 125A 460W TO264

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IXYS Corporation

IXGR55N120A3H1

Ultra-Low-VsatPTIGBTsforupto3kHzSwitching

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IXYS Corporation

IXGX55N120A3H1

GenX31200VIGBTsw/Diode

Ultra-Low-VsatPTIGBTsforupto3kHzSwitching Features ?OptimizedforLowConductionLosses ?Anti-ParallelUltraFastDiode Advantages ?HighPowerDensity ?LowGateDriveRequirement Applications ?PowerInverters ?UPS ?MotorDrives ?SMPS ?PFCCircuits ?BatteryChargers ?

IXYS

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IXGK55N120A3H1

  • 制造商：

    IXYS

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    GenX3?

  • 包裝：

    托盤

  • IGBT 類型：

    PT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.3V @ 15V，55A

  • 開關能量：

    5.1mJ（開），13.3mJ（關）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關）值：

    23ns/365ns

  • 測試條件：

    960V，55A，3 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-264-3，TO-264AA

  • 供應商器件封裝：

    TO-264（IXGK）

  • 描述：

    IGBT 1200V 125A 460W TO264

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多IXGK55N120A3H1供應商 更新時間2024-10-26 10:18:00

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