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IXGA20N120A3

GenX3 1200V IGBTs

Ultra-LowVsatPTIGBTsforupto3kHzSwitching VCES=1200V IC110=20A VCE(sat)≤2.5V Features OptimizedforLowConductionLosses InternationalStandardPackages Advantages HighPowerDensity LowGateDriveRequirement Applications PowerInverters UP

IXYS

IXYS Corporation

IXGH20N120A3

GenX31200VIGBTs

Ultra-LowVsatPTIGBTsforupto3kHzSwitching VCES=1200V IC110=20A VCE(sat)≤2.5V Features OptimizedforLowConductionLosses InternationalStandardPackages Advantages HighPowerDensity LowGateDriveRequirement Applications PowerInverters UP

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IXYS Corporation

IXGP20N120A3

GenX31200VIGBTs

Ultra-LowVsatPTIGBTsforupto3kHzSwitching VCES=1200V IC110=20A VCE(sat)≤2.5V Features OptimizedforLowConductionLosses InternationalStandardPackages Advantages HighPowerDensity LowGateDriveRequirement Applications PowerInverters UP

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IXYS Corporation

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號:

    IXGA20N120A3

  • 功能描述:

    IGBT 晶體管 G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 1200V 20A

  • RoHS:

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor

  • 配置:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓:

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓:

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流:

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    187 W

  • 封裝/箱體:

    TO-247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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更多IXGA20N120A3供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-12-24 17:11:00