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IXFQ22N60	文件：311.9 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=22A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=390mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXFQ22N60P3	文件：147.16 Kbytes Page：5 Pages	Polar3 HiperFET Power MOSFETs	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFQ22N60P3	文件：303.24 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFV22N60P	文件：301.5 Kbytes Page：5 Pages	PolarHVHiPerFETPowerMOSFETs	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFV22N60PS	文件：301.5 Kbytes Page：5 Pages	PolarHVHiPerFETPowerMOSFETs	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTQ22N60P	文件：300.8 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXTQ22N60P	文件：320.27 Kbytes Page：5 Pages	PolarHVTMPowerMOSFETN-ChannelEnhancementMode	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTV22N60P	文件：293.87 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXTV22N60P	文件：320.27 Kbytes Page：5 Pages	PolarHVTMPowerMOSFETN-ChannelEnhancementMode	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTV22N60PS	文件：320.27 Kbytes Page：5 Pages	PolarHVTMPowerMOSFETN-ChannelEnhancementMode	IXYS IXYS Corporation	IXYS
SIHA22N60AE	文件：319.97 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
SIHA22N60AE	文件：140.97 Kbytes Page：7 Pages	ESeriesPowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHA22N60AE	文件：154.04 Kbytes Page：8 Pages	ESeriesPowerMOSFET FEATURES ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Lowinputcapacitance(Ciss) ?Reducedswitchingandconductionlosses ?Ultralowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS ?	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHA22N60E	文件：180.44 Kbytes Page：8 Pages	ESeriesPowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHA22N60E	文件：319.63 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
SIHA22N60EF	文件：160.98 Kbytes Page：8 Pages	EFSeriesPowerMOSFETWithFastBodyDiode FEATURES ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Lowinputcapacitance(Ciss) ?Reducedswitchingandconductionlosses ?Ultralowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS ?	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHA22N60EL	文件：169.97 Kbytes Page：8 Pages	ELSeriesPowerMOSFET FEATURES ?Reducedfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Lowinputcapacitance(Ciss) ?Reducedswitchingandconductionlosses ?Lowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS ?Se	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHA22N60EL	文件：320.11 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
SIHB22N60AE	文件：322.91 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
SIHB22N60AE	文件：141.29 Kbytes Page：7 Pages	ESeriesPowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IXFQ22N60
功能描述：
MOSFET 600V 22A 0.36Ohm PolarP3 Power MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市達(dá)恩科技有限公司	IXFQ22N60P3	IXYS	18+	NA	3000	進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢(shì)供應(yīng)QQ3171516190	詢價(jià)
深圳市艾宇欣科技有限公司	IXFQ22N60P3	IXYS	1931+	N/A	56	加我qq或微信，了解更多詳細(xì)信息,體驗(yàn)一站式購(gòu)物	詢價(jià)
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