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IRL3103SPBF	文件：648.75 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET? Power MOSFET Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,pr	IRF International Rectifier	IRF
IRL3103SPBF	文件：656.95 Kbytes Page：11 Pages	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF
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IRLI3103	文件：153.22 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRLR3103	文件：164.75 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=30V,Rds(on)=0.019ohm,Id=46A??	IRF International Rectifier	IRF
IRLR3103	文件：335.58 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRLR3103PBF	文件：291.6 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET?PowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF
IRLR3103PBF	文件：292.56 Kbytes Page：11 Pages	Logic-LevelGateDrive	IRF International Rectifier	IRF
IRLR3103TR	文件：215.97 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET?PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
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IRLR3103TRPBF	文件：1.14288 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
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IRLRU3103PBF	文件：292.56 Kbytes Page：11 Pages	Logic-LevelGateDrive Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF
IRLU3103	文件：164.75 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=30V,Rds(on)=0.019ohm,Id=46A??	IRF International Rectifier	IRF
IRLU3103	文件：247.35 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRLU3103PBF	文件：292.56 Kbytes Page：11 Pages	Logic-LevelGateDrive Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF
IRLU3103PBF	文件：1.77739 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
ITS-3103-A	文件：167.96 Kbytes Page：2 Pages	RearPanelMountSquareFlangeReceptacle	GLENAIR Glenair, Inc.	GLENAIR
ITS-3103-Y	文件：229.6 Kbytes Page：2 Pages	RearPanelMountSquareFlangeReceptacle	GLENAIR Glenair, Inc.	GLENAIR
ITS3103YFK	文件：315.24 Kbytes Page：2 Pages	RearPanelMountSquareFlangeReceptacle	GLENAIR Glenair, Inc.	GLENAIR

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
IRL3103SPBF
功能描述：
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 12mOhms
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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更多IRL3103SPBF供應(yīng)商更新時間2024-10-26 16:36:00

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