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IRLR3103

Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.019ohm, Id=46A??

IRF

International Rectifier

IRLR3103

N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IRLR3103PBF

HEXFET? Power MOSFET

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p

IRF

International Rectifier

IRLR3103PBF

Logic-Level Gate Drive

IRF

International Rectifier

IRLR3103PBF_15

Logic-Level Gate Drive

IRF

International Rectifier

IRLR3103TR

HEXFET? Power MOSFET

IRF

International Rectifier

IRLR3103TRPBF

Logic-Level Gate Drive

IRF

International Rectifier

IRLR3103TRPBF

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

IRLRU3103PBF

HEXFET?PowerMOSFET

IRF

International Rectifier

IRLRU3103PBF

Logic-LevelGateDrive

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p

IRF

International Rectifier

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IRLR3103

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 30V 55A DPAK

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    HEXFET®

  • 標準包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應商設備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IR
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原裝現(xiàn)貨假一罰十
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D-Pak
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全新原裝現(xiàn)貨
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原裝現(xiàn)貨,可開13%稅票
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IR
23+
TO-252
5000
原裝正品,假一罰十
 詢價
更多IRLR3103供應商 更新時間2025-2-22 13:28:00

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