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IRLI3103	文件：153.22 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRLR3103	文件：164.75 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=30V,Rds(on)=0.019ohm,Id=46A??	IRF International Rectifier	IRF
IRLR3103	文件：335.58 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRLR3103PBF	文件：291.6 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET?PowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF
IRLR3103PBF	文件：292.56 Kbytes Page：11 Pages	Logic-LevelGateDrive	IRF International Rectifier	IRF
IRLR3103TR	文件：215.97 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET?PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRLR3103TRPBF	文件：292.56 Kbytes Page：11 Pages	Logic-LevelGateDrive	IRF International Rectifier	IRF
IRLR3103TRPBF	文件：1.14288 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
IRLRU3103PBF	文件：291.6 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET?PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRLRU3103PBF	文件：292.56 Kbytes Page：11 Pages	Logic-LevelGateDrive Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF
IRLU3103	文件：164.75 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=30V,Rds(on)=0.019ohm,Id=46A??	IRF International Rectifier	IRF
IRLU3103	文件：247.35 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRLU3103PBF	文件：292.56 Kbytes Page：11 Pages	Logic-LevelGateDrive Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF
IRLU3103PBF	文件：1.77739 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
ITS-3103-A	文件：167.96 Kbytes Page：2 Pages	RearPanelMountSquareFlangeReceptacle	GLENAIR Glenair, Inc.	GLENAIR
ITS-3103-Y	文件：229.6 Kbytes Page：2 Pages	RearPanelMountSquareFlangeReceptacle	GLENAIR Glenair, Inc.	GLENAIR
ITS3103YFK	文件：315.24 Kbytes Page：2 Pages	RearPanelMountSquareFlangeReceptacle	GLENAIR Glenair, Inc.	GLENAIR
ITS3103YMB	文件：315.24 Kbytes Page：2 Pages	RearPanelMountSquareFlangeReceptacle	GLENAIR Glenair, Inc.	GLENAIR
KSM3103	文件：636.98 Kbytes Page：4 Pages	AdvancedhighcelldenitytrenchtechnologyforultraRDS(ON)	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
LM3103	文件：351.66 Kbytes Page：16 Pages	SIMPLESWITCHER?Synchronous1MHz0.75AStep-DownVoltageRegulator	NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導(dǎo)體美國國家半導(dǎo)體公司	NSC

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詳細參數(shù)

型號：
IRL3103STRL
功能描述：
MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
RoHS：
否
類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列：
HEXFET®
標準包裝：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
特點：
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
包裝：
管件

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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深圳市聯(lián)世界科技有限公司	IRL3103STRL	IR	2000		732	原裝正品現(xiàn)貨庫存價優(yōu)	詢價
深圳市昌和盛利電子有限公司	IRL3103STRL	ir	23+	TO263	9526		詢價
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	IRL3103STRL	IOR	24+	TO263	1130		詢價
深圳市恒創(chuàng)達實業(yè)有限公司	IRL3103STRL	IOR	17+	TO-263	6200	100%原裝正品現(xiàn)貨	詢價
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	IRL3103STRL	IR	2018+	TO263	6528	只做原裝正品假一賠十!只要網(wǎng)上有上百分百有庫存放心	詢價
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更多IRL3103STRL供應(yīng)商更新時間2025-1-3 16:11:00

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