首頁 >IRG4RC10SD>規(guī)格書列表

零件編號下載 訂購功能描述/絲印制造商 上傳企業(yè)LOGO

IRG4RC10SD

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.10V, @Vge=15V, Ic=2.0A)

Features ?Extremelylowvoltagedrop1.1V(typ)@2A ?S-Series:Minimizespowerdissipationatupto3 KHzPWMfrequencyininverterdrives,upto4 KHzinbrushlessDCdrives. ?Tightparameterdistribution ?IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ultra-soft-recoveryanti-

IRF

International Rectifier

IRG4RC10SD

Package：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 14A 38W DPAK

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRG4RC10SDPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

Features ?Extremelylowvoltagedrop1.1V(typ)@2A ?S-Series:Minimizespowerdissipationatupto3 KHzPWMfrequencyininverterdrives,upto4 KHzinbrushlessDCdrives. ?Tightparameterdistribution ?IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ultra-soft-recoveryanti-

IRF

International Rectifier

IRG4RC10SDPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

IRF

International Rectifier

IRG4RC10SDPBF_15

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

IRF

International Rectifier

IRG4RC10SDTRLP

Package：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 14A 38W DPAK

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRG4RC10SDTRPBF

Package：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 14A 38W DPAK

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRG4RC10U

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.15V,@Vge=15V,Ic=5.0A)

Features ?UltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies(8-40kHzinhardswitching,>200kHzinresonantmode) ?Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgeneration ?IndustrystandardTO-252AApackage Benefits ?Generation

IRF

International Rectifier

IRG4RC10UD

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.15V,@Vge=15V,Ic=5.0A)

UltraFastCoPackIGBT Features ?UltraFast:Optimizedformediumoperatingfrequencies(8-40kHzinhardswitching,>200kHzinresonantmode). ?Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgeneration ?IGBTco-packagedwithHEXFREDTMu

IRF

International Rectifier

IRG4RC10UDPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

Features ?UltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies(8-40kHzinhardswiching,>200kHzinresonantmode) ?Generation4IGBTdesignprovidestigherparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgeneration ?IGBTco-packagedwithHEXFRED?ultrafast,ultra-soft-recovery

IRF

International Rectifier

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IRG4RC10SD

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    1.8V @ 15V，8A

  • 開關(guān)能量：

    310μJ（開），3.28mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    76ns/815ns

  • 測試條件：

    480V，8A，100 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    D-Pak

  • 描述：

    IGBT 600V 14A 38W DPAK

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
INFINEON/英飛凌
22+
SOT-252
4800
專營INFINEON/英飛凌全新原裝進(jìn)口正品
 詢價
IR
24+
TO-252
501023
免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系
 詢價
IR
2024+
N/A
70000
柒號只做原裝 現(xiàn)貨價秒殺全網(wǎng)
 詢價
INTERNATIONA
05+
原廠原裝
4893
只做全新原裝真實現(xiàn)貨供應(yīng)
 詢價
IR
24+
D-Pak
8866
詢價
IR
1415+
TO-252(DPAK)
28500
全新原裝正品,優(yōu)勢熱賣
 詢價
IR
24+
原廠封裝
224
原裝現(xiàn)貨假一罰十
 詢價
IR
23+
D-Pak
8600
全新原裝現(xiàn)貨
 詢價
IR
2016+
TO-252
6528
房間原裝進(jìn)口現(xiàn)貨假一賠十
 詢價
IR
24+
TO-252-2
5000
全現(xiàn)原裝公司現(xiàn)貨
 詢價
更多IRG4RC10SD供應(yīng)商 更新時間2025-2-19 10:59:00

相關(guān)規(guī)格書

更多

相關(guān)庫存

更多