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IRG4RC10SDPBF分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IRG4RC10SDPBF
廠商型號

IRG4RC10SDPBF

參數(shù)屬性

IRG4RC10SDPBF 封裝/外殼為TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 14A 38W DPAK

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

封裝外殼

TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

文件大小

353.86 Kbytes

頁面數(shù)量

11

生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-5-6 23:40:00

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IRG4RC10SDPBF規(guī)格書詳情

Features

? Extremely low voltage drop 1.1V(typ) @ 2A

? S-Series: Minimizes power dissipation at up to 3

KHz PWM frequency in inverter drives, up to 4

KHz in brushless DC drives.

? Tight parameter distribution

? IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast,

ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use

in bridge configurations

? Industry standard TO-252AA package

? Lead-Free

Benefits

? Generation 4 IGBTs offer highest efficiencies

available

? IGBTs optimized for specific application conditions

? HEXFRED diodes optimized for performance with

IGBTs . Minimized recovery characteristics require

less/no snubbing

? Lower losses than MOSFETs conduction and

Diode losses

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    IRG4RC10SDPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    1.8V @ 15V,8A

  • 開關(guān)能量:

    310μJ(開),3.28mJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    76ns/815ns

  • 測試條件:

    480V,8A,100 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    D-Pak

  • 描述:

    IGBT 600V 14A 38W DPAK

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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