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IRG7PH44K10DPBF

Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode

Features LowVCE(ON)andswitchinglosses 10μsShortCircuitSOA SquareRBSOA MaximumJunctionTemperature150°C PositiveVCE(ON)TemperatureCoefficient Benefits HighefficiencyinaWideRangeofApplications IncreasedReliability ExcellentCurrentSharinginPa

IRF

International Rectifier

IRG7PH44K10DPBF

Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode

IRF

International Rectifier

IRG7PH44K10DPBF

Package:TO-247-3;包裝:管件 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT 1200V 70A 320W TO247AC

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRG7PH44K10DPBF_15

Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode

IRF

International Rectifier

IRG7PH44K10D-EPBF

InsulatedGateBipolarTransistorwithUltrafastSoftRecoveryDiode

Features LowVCE(ON)andswitchinglosses 10μsShortCircuitSOA SquareRBSOA MaximumJunctionTemperature150°C PositiveVCE(ON)TemperatureCoefficient Benefits HighefficiencyinaWideRangeofApplications IncreasedReliability ExcellentCurrentSharinginPa

IRF

International Rectifier

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    IRG7PH44K10DPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.4V @ 15V,25A

  • 開關(guān)能量:

    2.1mJ(開),1.3mJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    75ns/315ns

  • 測試條件:

    600V,25A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247AC

  • 描述:

    IGBT 1200V 70A 320W TO247AC

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Infineon
18+
NA
3371
進口原裝正品優(yōu)勢供應(yīng)
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Infineon
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21+
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全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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Infineon
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INTERNATI
21+
TO-3P
10000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
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Infineon Technologies
22+
TO247AC
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
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INTERNATI
2022
TO-3P
80000
原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢
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更多IRG7PH44K10DPBF供應(yīng)商 更新時間2025-1-20 14:16:00