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IRG7PK35UD1PBF

Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode

IRF

International Rectifier

IRG7PK35UD1PBF

Package：TO-247-3；包裝：散裝 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 1400V 40A 167W TO247AC

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRG7PK35UD1PBF_15

Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode

IRF

International Rectifier

IRG7PK35UD1

TrenchField-StopTechnologyIGBT

FEATURES ·VCE(sat)(typ.)=1.8V@VGE=15V,IC=40A ·LowSwitchingLosses ·VCE(sat)withPositiveTemperatureCoefficient APPLICATIONS ·FrequencyConverters ·UninterruptedPowerSupply ·AirConditioning ·MotorDrives

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IRG7PK35UD1PBF

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    散裝

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.35V @ 15V，20A

  • 開關能量：

    650μJ（關）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關）值：

    -/150ns

  • 測試條件：

    600V，20A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應商器件封裝：

    TO-247AC

  • 描述：

    IGBT 1400V 40A 167W TO247AC

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多IRG7PK35UD1PBF供應商 更新時間2025-1-19 14:02:00

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