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零件編號(hào)	下載&訂購(gòu)	功能描述	制造商&上傳企業(yè)	LOGO
IRFR9120TRRPBF	文件：1.18471 Mbytes Page：13 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFRU9120N	文件：117.52 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-100V,Rds(on)=0.48ohm,Id=-6.6A)	IRF International Rectifier	IRF
IRFRU9120N	文件：1.92601 Mbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFRU9120N	文件：1.92601 Mbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU9120	文件：1.89003 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationpowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effictiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFU9120	文件：73.44 Kbytes Page：7 Pages	5.6A,100V,0.600Ohm,P-ChannelPowerMOSFETs TheseadvancedpowerMOSFETsaredesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecificlevelofenergyintheavalanchebreakdownmodeofoperation.TheyareP-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorsdesignedforapplicationssuchasswitchingregulators,switching	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRFU9120	文件：173.05 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-100V,Rds(on)=0.60ohm,Id=-5.6A) DESCRIPTION ThirdGenerationHEXFETsfromInternatioalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effictiveness. ?DynamicdV/dtRating ?RepetitiveAvalancheRated ?SurfaceMount(IRFR9120) ?StraightLead	IRF International Rectifier	IRF
IRFU9120	文件：4.40685 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effictiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU9120	文件：4.40688 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effictiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU9120	文件：4.04661 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effictiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU9120	文件：345.69 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFU9120	文件：1.18471 Mbytes Page：13 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?Surface-mount(IRFR9120,SiHFR9120) ?Straightlead(IRFU9120,SiHFU9120) ?Availableintapeandreel ?P-channel ?Fastswitching ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFU9120N	文件：117.52 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-100V,Rds(on)=0.48ohm,Id=-6.6A)	IRF International Rectifier	IRF
IRFU9120N	文件：1.94065 Mbytes Page：10 Pages	UltraLowOn-Resistance Description TheD-Pakisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thestraightleadversion(IRFUseries)isforthrough-holemountingapplications.Powerdissipationlevelsupto1.5wattsarepossibleintypicalsurfacemountapplications.	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU9120NPBF	文件：262.32 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET(VDSS=-100V,RDS(on)=0.48廓,ID=-6.6A) HEXFET?PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFU9120NPBF	文件：2.42167 Mbytes Page：4 Pages	UltraLowOn-Resistance	IRF International Rectifier	IRF
IRFU9120NPBF	文件：3.85223 Mbytes Page：10 Pages	HEXFETPOWERMOSFET HEXFET?PowerMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU9120NPBF	文件：3.87272 Mbytes Page：10 Pages	ULTRALOWON-RESISTANCE HEXFET?PowerMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU9120PBF	文件：1.89003 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationpowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effictiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFU9120PBF	文件：1.05574 Mbytes Page：10 Pages	HEXFET?PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IRFR9120TRRPBF
功能描述：
MOSFET P-Chan 100V 5.6 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市河鋒鑫科技有限公司	IRFR9120TRRPBF	IR	22+	TO-252	6000	終端可免費(fèi)供樣,支持BOM配單	詢(xún)價(jià)
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	IRFR9120TRRPBF	IR	23+	TO-252	8000	只做原裝現(xiàn)貨	詢(xún)價(jià)
天津市博通航睿技術(shù)有限公司	IRFR9120TRRPBF	IR	23+	TO-252	7000		詢(xún)價(jià)
深圳市星佑電子有限公司	IRFR9121	IR	06+	TO-252	15000	原裝庫(kù)存	詢(xún)價(jià)
深圳市博浩通科技有限公司	IRFR9121	IR	23+	原廠原裝	6000	全新原裝	詢(xún)價(jià)
深圳市鵬和科技有限公司	IRFR9121	IR	24+	TO-252	5000	只做原裝公司現(xiàn)貨	詢(xún)價(jià)
深圳市華來(lái)深電子有限公司	IRFR9121	IR	23+	TO-252	11846	一級(jí)代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十	詢(xún)價(jià)
深圳市維爾達(dá)電子有限公司	IRFR9121	IR	2023+	D-pak	80000	一級(jí)代理/分銷(xiāo)渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) 十年芯程一路只做原裝正品	詢(xún)價(jià)
瀚佳科技(深圳)有限公司	IRFR9121	IR	21+	D-pak	35200	一級(jí)代理/放心采購(gòu)	詢(xún)價(jià)
深圳市澳億芯電子科技有限公司	IRFR9121	IR	08+	D-pak	20000	普通	詢(xún)價(jià)

更多IRFR9120TRRPBF供應(yīng)商更新時(shí)間2024-11-18 14:54:00

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