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IRFRU9120N	文件：117.52 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.48ohm, Id=-6.6A)	IRF International Rectifier	IRF
IRFRU9120N	文件：1.92601 Mbytes Page：10 Pages	Power MOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
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IRFRU9120N_15	文件：1.92601 Mbytes Page：10 Pages	Power MOSFET	LUCKY-LIGHT Lucky Light Electronic	LUCKY-LIGHT
IRFU9120	文件：1.89003 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationpowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effictiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFU9120	文件：73.44 Kbytes Page：7 Pages	5.6A,100V,0.600Ohm,P-ChannelPowerMOSFETs TheseadvancedpowerMOSFETsaredesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecificlevelofenergyintheavalanchebreakdownmodeofoperation.TheyareP-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorsdesignedforapplicationssuchasswitchingregulators,switching	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRFU9120	文件：173.05 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-100V,Rds(on)=0.60ohm,Id=-5.6A) DESCRIPTION ThirdGenerationHEXFETsfromInternatioalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effictiveness. ?DynamicdV/dtRating ?RepetitiveAvalancheRated ?SurfaceMount(IRFR9120) ?StraightLead	IRF International Rectifier	IRF
IRFU9120	文件：4.40685 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effictiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU9120	文件：4.40688 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effictiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU9120	文件：4.04661 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effictiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU9120	文件：345.69 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRFU9120	文件：1.18471 Mbytes Page：13 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?Surface-mount(IRFR9120,SiHFR9120) ?Straightlead(IRFU9120,SiHFU9120) ?Availableintapeandreel ?P-channel ?Fastswitching ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFU9120N	文件：117.52 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-100V,Rds(on)=0.48ohm,Id=-6.6A)	IRF International Rectifier	IRF
IRFU9120N	文件：1.94065 Mbytes Page：10 Pages	UltraLowOn-Resistance Description TheD-Pakisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thestraightleadversion(IRFUseries)isforthrough-holemountingapplications.Powerdissipationlevelsupto1.5wattsarepossibleintypicalsurfacemountapplications.	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU9120NPBF	文件：262.32 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET(VDSS=-100V,RDS(on)=0.48廓,ID=-6.6A) HEXFET?PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFU9120NPBF	文件：2.42167 Mbytes Page：4 Pages	UltraLowOn-Resistance	IRF International Rectifier	IRF
IRFU9120NPBF	文件：3.85223 Mbytes Page：10 Pages	HEXFETPOWERMOSFET HEXFET?PowerMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU9120NPBF	文件：3.87272 Mbytes Page：10 Pages	ULTRALOWON-RESISTANCE HEXFET?PowerMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU9120PBF	文件：1.89003 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationpowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effictiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFU9120PBF	文件：1.05574 Mbytes Page：10 Pages	HEXFET?PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF

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詳細參數(shù)

型號：
IRFRU9120N
制造商：
IRF
制造商全稱：
International Rectifier
功能描述：
Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.48ohm, Id=-6.6A)

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市永貝爾科技有限公司	IRFRU9120N	IRF	23+	NA	19960	只做進口原裝,終端工廠免費送樣	詢價
深圳市河鋒鑫科技有限公司	IRFS10	IR	22+		6000	終端可免費供樣,支持BOM配單	詢價
深圳市安富世紀電子有限公司	IRFS10	IR	23+		8000	只做原裝現(xiàn)貨	詢價
天津市博通航睿技術有限公司	IRFS10	IR	23+		7000		詢價
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	IRFS1018ESPBF	INFINEON/英飛凌	22+	D2PAK	18000	只做全新原裝,支持BOM配單,假一罰十	詢價
深圳市昌和盛利電子有限公司	IRFS11N50A	IR	23+	TO-263	35890		詢價
深圳市星佑電子有限公司	IRFS11N50A	INTERNATIONA	05+	原廠原裝	4335	只做全新原裝真實現(xiàn)貨供應	詢價
深圳市勤思達科技有限公司	IRFS11N50A	IR	1415+	TO-263	28500	全新原裝正品,優(yōu)勢熱賣	詢價
深圳市弘為電子有限公司	IRFS11N50A	IR	16+	原廠封裝	116	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價
深圳市博浩通科技有限公司	IRFS11N50A	IR	23+	D2-Pak	8600	全新原裝現(xiàn)貨	詢價

更多IRFRU9120N供應商更新時間2025-1-3 9:01:00

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