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IRFR024N	文件：178.33 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=55V,Rds(on)=0.075ohm,Id=17A??	IRF International Rectifier	IRF
IRFR024N	文件：942.95 Kbytes Page：10 Pages	UltraLowOn-Resistance Description TheD-PAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thestraightleadversion(IRFUseries)isforthrough-holemountingapplications.Powerdissipationlevelsupto1.5wattsarepossibleintypicalsurfacemountapplications. ●Ultr	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR024N	文件：335.19 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFR024N	文件：466.35 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET Description TheD-PAKisdesignedforsurfacemounting usingvaporphase,infrared,orwavesoldering technigues.Powerdissipationlevelsupto1.5 wattsarepossibleintypicalsurfacemountapplications. Features VDS(V)=55V ID=17A(VGS=10V) RDS(ON)=75mW(VGS=10V)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導(dǎo)體	EVVOSEMI
IRFR024NPBF	文件：401.32 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,	IRF International Rectifier	IRF
IRFR024NPBF	文件：4.03053 Mbytes Page：10 Pages	UltraLowOn-Resistance Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR024NPBF	文件：406.05 Kbytes Page：11 Pages	ULTRALOWONRESISTANCE	IRF International Rectifier	IRF
IRFR024NPBF	文件：4.00212 Mbytes Page：10 Pages	UltraLowOn-Resistance	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR024NPBF	文件：406.05 Kbytes Page：11 Pages	UltraLowOn-Resistance	IRF International Rectifier	IRF
IRFR024NTR	文件：537.48 Kbytes Page：7 Pages	TheD-PAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechnigues. Features VDS(V)=55V ID=17A(VGS=10V) RDS(ON)=75mW(VGS=10V)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友臺(tái)半導(dǎo)體廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司	UMW
IRFR024NTR	文件：466.35 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET Description TheD-PAKisdesignedforsurfacemounting usingvaporphase,infrared,orwavesoldering technigues.Powerdissipationlevelsupto1.5 wattsarepossibleintypicalsurfacemountapplications. Features VDS(V)=55V ID=17A(VGS=10V) RDS(ON)=75mW(VGS=10V)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導(dǎo)體	EVVOSEMI
IRFR024NTRL	文件：4.00212 Mbytes Page：10 Pages	UltraLowOn-Resistance	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR024NTRLPBF	文件：406.05 Kbytes Page：11 Pages	UltraLowOn-Resistance	IRF International Rectifier	IRF
IRFR024NTRPBF	文件：1.04371 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
IRFR024NTRPBF	文件：406.05 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET?PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFR024PBF	文件：1.7836 Mbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFR024PBF	文件：1.16522 Mbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFR024PBF	文件：1.98595 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Th	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFR024PBF	文件：4.50222 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Th	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR024PBF	文件：1.06651 Mbytes Page：13 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay

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更多IRFR024ATM供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-5 14:00:00

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